微晶硅薄膜太阳能电池课件.pptVIP

河北工程大学毕业论文演示文稿微晶硅薄膜是介于非晶硅和单晶硅之间的一种混合相无序半导体材料，是由几十到几百纳米的晶硅颗粒镶嵌在非晶硅薄膜中所组成的，它兼备了非晶硅和单晶硅材料的优点，被认为是制作太阳电池的优良材料。

微晶硅薄膜太阳电池制备技术的研究一、主要介绍微晶硅薄膜太阳电池的应用优势以及其可应用的领域。二、主要介绍微晶硅薄膜太阳电池的结构特点。三、将重点介绍微晶硅薄膜太阳电池的制备技术以及其技术优化。

河北工程大学毕业论文演示文稿同其它薄膜太阳电池相比，微晶硅薄膜太阳电池具有以下应用优势：具有低成本优势。具有较高的电导率、高的吸收系数和无明显光致衰减现象。具有易实现大面积制备、集成化等优点。在对太阳光谱不同波段的有效光电转换方面与非晶硅薄膜电池可形成很好的互补。

微晶硅薄膜太阳电池制备技术的研究硅基薄膜玻璃衬底太阳电池组件结构完整、美观、弱光发电效果好，除用于大型光伏电站外，还可安装于建筑物任何部位并与建筑融为一体，完美演绎建筑光伏一体化（BIPV）的绿色建筑理念。成品薄膜太阳电池

河北工程大学毕业论文演示文稿器件质量级微晶硅材料的表征特性要求40%-70%晶体率（拉曼）晶粒的方向（XRD）(220)取向）10-10Ωcm-1暗率（AM1.5，100Mw/cm2-8-7-1光敏性激活能102-103≥0.5eV氧含量192×10cm-3缺陷密度1610cm-3

微晶硅薄膜太阳电池制备技术的研究增加I层的主要原因是需要利用I层来附加强的内建电场以实现光生载流子的有效收集。P层：最主要的作用是与N层一起建立内电场，同时还对沉积在它上面的本征层起到了籽晶层的作用。I层：是电池的核心部位、光生载流子的产生区。N层：这是建立电池内电场的第二个掺杂层。

河北工程大学毕业论文演示文稿三种制备技术的比较制技缺点典型效率1.材料缺陷密度1.反腔内会形成大量Rodchek等在1nm/s和2.易大面3.技成熟2.耗大量能量3.耗大量气体，如气0.5nm/s的沉速率下得到了化效率6.6%和8.1%的太阳能池HPD-RF-PECVD能有效波效、耗波效的存在，Y.Mai等人在1.1nm/s的沉微晶硅的高速生以大面的匀性，速率下得到了效率工化的大面生相困9.9%的太阳能池VHF-PECVD不存在离子有利于生出晶硅高温致缺陷密度高Klein等制出9.4%的微晶硅池，但沉速率只有0.1nm/sHWCVD

微晶硅薄膜太阳电池制备技术的研究PECVD等离子体增强化学气相沉积技术的原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。1.P层的制备：在P-a-Si:H的基础上，通过加大氢稀释，适当调整辉光功率、反应气压以及衬底温度，可以获得P-μc-Si:H薄膜。2.N层的制备：它可用PH3+SiH4的混合气体辉光放电分解沉积得到。3.I层的制备：I层可用辉光放电法分解SiH4得到。其中衬底可选用普通玻璃，清洗可采用丙酮和酒精，并且做超声波处理。

河北工程大学毕业论文演示文稿1.P层：P层作为PIN型微晶硅薄膜电池的窗口层，要求具有以下特性高的电导率低的光吸收即宽的光学带隙较高的晶化率少的缺陷态密度3.I层：I层是微晶硅薄膜太阳电池的核心部位，要求具有以下特性良好的光吸收性能良好的输运性能2.N层：对于N层，一般要求是与I层形成较高的势垒与金属电极形成良好的欧姆接触

微晶硅薄膜太阳电池制备技术的研究目前，要生产出高效率、低成本可进入市场投入商业化应用的的优质微晶硅薄膜太阳电池，其制备技术还有待进一步完善。1.寻找好的制备技术。2.优化P、I、N各层制备过程中的沉积参数，以提高微晶硅薄膜太阳电池的应用特性。3.优化透明导电膜的结构。