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说明书
在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓薄膜的方法
技术领域
本制造涉及氮化镓〔GaN〕基Ⅲ族氮化物的异质外延生长方法，特别涉及一种在图形化蓝宝石衬底〔PSS，PatternedSapphireSubstrate〕上生长高质量GaN薄膜的方法。
背景技术
GaN基Ⅲ族氮化物是宽禁带直接带隙半导体材料，因其优异的电学性能和物理、化学稳定性，是制造发光二极管〔LED，LightEmittingDiode〕、短波长激光器、高功率晶体管、紫外光探测器等的抱负材料。尽管GaN基LED早已实现产业化，但目前LED器件的发光效率仍旧
专注地铁、铁路、市政领域安全管理资料的定制、修改及润色，本人已有7年专业领域工作经验，可承接安全方案、安全培训、安全交底、贯标外审、公路一级达标审核及安全生产许可证延期资料编制等工作，欢迎大家咨询~
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