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常用传感器;导入案例;当光阴极受到适当波长的光线照射时便会发射电子，这些电子被加有一定电位的阳极吸收，从而在光电管内形成空间电子流。

光敏电阻是一种匀质半导体光电器件。

常用的非线性线绕电位器有变骨架式和变节距式。

如果检测出车辆不再转动就会自动放松制动装置，让轮子仍保持缓慢转动状态。

到达表面的电子能克服

位垒而逸出，从而将光辐射能转换为逸出电子的电磁能。

当初级线圈通以适当频率的激励电压时，那么在两个次级线圈中，由于变压器的互感作用就会产生感应电压。

当θ=0时，

因此，可以认为在无光照射时，光敏二极管处于截止状态，在有光照射时，光敏二极管处于导通状态。

式中，W为膜盒系统的中心挠度；

纵向拉伸使电阻值增加，横向缩短又使电阻值减小，其综合结果使得应变数值偏小或者说应变片的灵敏度系数减小，这种现象称为横向效应。

传感器是一种能把特定的被测量信息（包括物理量、化学量、生物量等）按一定规律转换成某种可用信号输出的器件或装置。

压电陶瓷是人工制备的多晶材料，它需经外

加电场极化，使其内部电畴排列趋向电场方向，当电场强度达饱和后，即使去

除极化的电场，电畴还会基本保持，余下很强的剩余极化，因此有很强的压电

效应。

假设材料是N型半导体，则导体的载流子是电子，电子沿与i相反的方向以速度v运动。

霍尔元件是一个四端器件，由霍尔片、四根引线和壳体组成。

当导线直径一定时，就要增加骨架长度。

灵敏度很低，介电常数小，因而逐渐被其他压电材料代替，但机械强度很高。

箔式电阻应变片是用厚度为3μm~10μm极薄的康铜或镍铬金属片腐蚀而成的。;导入案例——鼠标（光电传感器）;导入案例—ABS系统（电磁传感器）;2.1传感器概述;传感器的定义及组成;传感器的定义及组成;传感器的分类;对传感器的要求;传感器的发展方向;2.2电阻式传感器;电位器式传感器;电位器式传感器;电位器式传感器;;电位器式传感器;电位器式传感器;电位器式传感器;电位器式传感器;电位器式传感器;电位器式传感器;电阻应变式传感器;电阻应变式传感器;电??应变式传感器;电阻应变式传感器;电阻应变式传感器;电阻应变式传感器;电阻应变式传感器;电阻应变式传感器;电阻应变式传感器;电阻应变式传感器;4所示，它由永久磁铁、磁极、感应线圈和齿圈等组成。

54中，当转换开关K在位置1时，经过一个积分电路，可测量位移的大小；

1)简单变气隙式自感传感器

37轴向自感式传感器结构图

被测压力作用在膜盒上，使膜盒产生位移，经放大传动机构带动电刷在电位器上滑动。

敏晶体管包括光敏二极管和光敏三极管。

在L1与L2之间放置金属板M后，L1产生的磁力线将透过M，并在其中产生涡流i，因此损耗了部分能量，从而使L2上的磁力线减少，导致感应电动势E下降。

动态铸造应力测定装置由“E”形试样、应力传感器和测量仪器三部分组成。

箔式电阻应变片是用厚度为3μm~10μm极薄的康铜或镍铬金属片腐蚀而成的。

如果E和f固定不变，则可反映Cx的大小，且与Cx呈线性关系。

骨架制作容易，但绕线困难，适合于特性曲线斜率变化不大的情况。

高频反射式涡流传感器的主要部件是一个安置在框架上的线圈。

43，但实际上输出特性曲线“V”字端部不是零，而有一个很小的电压e0，这个电压称为“零点残余电压”。;电阻应变式传感器;电阻应变式传感器;电阻应变式传感器;电阻应变式传感器;电阻应变式传感器;电阻应变式传感器;温度变化时，敏感栅电阻变化为：

因膨胀系数不同引起的阻值变化为：

由于环境温度变化而引起的总的附加电阻为：;电阻应变式传感器;电阻应变式传感器;电阻式传感器应用举例;电阻式传感器应用举例;2.3电容式传感器;电容式传感器的基本类型;电容式传感器的基本类型;电容式传感器的基本类型;电容式传感器的基本类型;电容式传感器的基本类型;电容式传感器的基本类型;电容式传感器的基本类型;电容式传感器的基本类型;实际测量中，测其输出电压值。电容量向电压的转换是通过高频发生器实现的，见图2.28，它主要由电容和石英晶体组成振荡器，可产生3MHz～15MHz的稳定高频信号，向LC并联谐振回路输出电压uc：

式中，ω0为高频信号发生器固有频率；I为射极输出电流。

;电容式传感器的基本类型;电容式传感器的测量电路;电容式传感器的测量电路;电容式传感器的测量电路;2.4电感式传感器;自感式传感器;自感式传感器;自感式传感器;自感式传感器;自感式传感器;当匝数W1为的初级线圈通入激励交流电流i1时，它将产生磁通Φ11，这时有一部分磁通Φ12穿过匝数为W2的次级线圈，因而在线圈W2中将产生互感电动势E，即：