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常用传感器;导入案例;当光阴极受到适当波长的光线照射时便会发射电子,这些电子被加有一定电位的阳极吸收,从而在光电管内形成空间电子流。
光敏电阻是一种匀质半导体光电器件。
常用的非线性线绕电位器有变骨架式和变节距式。
如果检测出车辆不再转动就会自动放松制动装置,让轮子仍保持缓慢转动状态。
到达表面的电子能克服
位垒而逸出,从而将光辐射能转换为逸出电子的电磁能。
当初级线圈通以适当频率的激励电压时,那么在两个次级线圈中,由于变压器的互感作用就会产生感应电压。
当θ=0时,
因此,可以认为在无光照射时,光敏二极管处于截止状态,在有光照射时,光敏二极管处于导通状态。
式中,W为膜盒系统的中心挠度;
纵向拉伸使电阻值增加,横向缩短又使电阻值减小,其综合结果使得应变数值偏小或者说应变片的灵敏度系数减小,这种现象称为横向效应。
传感器是一种能把特定的被测量信息(包括物理量、化学量、生物量等)按一定规律转换成某种可用信号输出的器件或装置。
压电陶瓷是人工制备的多晶材料,它需经外
加电场极化,使其内部电畴排列趋向电场方向,当电场强度达饱和后,即使去
除极化的电场,电畴还会基本保持,余下很强的剩余极化,因此有很强的压电
效应。
假设材料是N型半导体,则导体的载流子是电子,电子沿与i相反的方向以速度v运动。
霍尔元件是一个四端器件,由霍尔片、四根引线和壳体组成。
当导线直径一定时,就要增加骨架长度。
灵敏度很低,介电常数小,因而逐渐被其他压电材料代替,但机械强度很高。
箔式电阻应变片是用厚度为3μm~10μm极薄的康铜或镍铬金属片腐蚀而成的。;导入案例——鼠标(光电传感器);导入案例—ABS系统(电磁传感器);2.1传感器概述;传感器的定义及组成;传感器的定义及组成;传感器的分类;对传感器的要求;传感器的发展方向;2.2电阻式传感器;电位器式传感器;电位器式传感器;电位器式传感器;;电位器式传感器;电位器式传感器;电位器式传感器;电位器式传感器;电位器式传感器;电位器式传感器;电阻应变式传感器;电阻应变式传感器;电??应变式传感器;电阻应变式传感器;电阻应变式传感器;电阻应变式传感器;电阻应变式传感器;电阻应变式传感器;电阻应变式传感器;电阻应变式传感器;4所示,它由永久磁铁、磁极、感应线圈和齿圈等组成。
54中,当转换开关K在位置1时,经过一个积分电路,可测量位移的大小;
1)简单变气隙式自感传感器
37轴向自感式传感器结构图
被测压力作用在膜盒上,使膜盒产生位移,经放大传动机构带动电刷在电位器上滑动。
敏晶体管包括光敏二极管和光敏三极管。
在L1与L2之间放置金属板M后,L1产生的磁力线将透过M,并在其中产生涡流i,因此损耗了部分能量,从而使L2上的磁力线减少,导致感应电动势E下降。
动态铸造应力测定装置由“E”形试样、应力传感器和测量仪器三部分组成。
箔式电阻应变片是用厚度为3μm~10μm极薄的康铜或镍铬金属片腐蚀而成的。
如果E和f固定不变,则可反映Cx的大小,且与Cx呈线性关系。
骨架制作容易,但绕线困难,适合于特性曲线斜率变化不大的情况。
高频反射式涡流传感器的主要部件是一个安置在框架上的线圈。
43,但实际上输出特性曲线“V”字端部不是零,而有一个很小的电压e0,这个电压称为“零点残余电压”。;电阻应变式传感器;电阻应变式传感器;电阻应变式传感器;电阻应变式传感器;电阻应变式传感器;电阻应变式传感器;温度变化时,敏感栅电阻变化为:
因膨胀系数不同引起的阻值变化为:
由于环境温度变化而引起的总的附加电阻为:;电阻应变式传感器;电阻应变式传感器;电阻式传感器应用举例;电阻式传感器应用举例;2.3电容式传感器;电容式传感器的基本类型;电容式传感器的基本类型;电容式传感器的基本类型;电容式传感器的基本类型;电容式传感器的基本类型;电容式传感器的基本类型;电容式传感器的基本类型;电容式传感器的基本类型;实际测量中,测其输出电压值。电容量向电压的转换是通过高频发生器实现的,见图2.28,它主要由电容和石英晶体组成振荡器,可产生3MHz~15MHz的稳定高频信号,向LC并联谐振回路输出电压uc:
式中,ω0为高频信号发生器固有频率;I为射极输出电流。
;电容式传感器的基本类型;电容式传感器的测量电路;电容式传感器的测量电路;电容式传感器的测量电路;2.4电感式传感器;自感式传感器;自感式传感器;自感式传感器;自感式传感器;自感式传感器;当匝数W1为的初级线圈通入激励交流电流i1时,它将产生磁通Φ11,这时有一部分磁通Φ12穿过匝数为W2的次级线圈,因而在线圈W2中将产生互感电动势E,即:
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