J.半导体照明-2023年中国材料研讨会.docx

2023中国材料研讨会5.17-5.20北京

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北京

国家会议中心

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J.半导体照明

分会主席：吴玲、李晋闽

单元J1：5月19日上午主持人：吴玲，李晋闽8：30---8：35会议致辞

8：35---9：00*J1

报告题目：半导体照明材料技术的现状和趋势王军喜；中国科学院半导体争论所

9：00---9：25*J2

报告题目：大功率GaN基发光二极管Droop现象的争论进展

陆海；南京大学

9：25---9：50*J3

报告题目：氮化物半导体外延衬底材料的争论孙永健；北京大学

9：50---10：15*J4

报告题目：AlGaInP红色LED外延材料生长技术李建军；北京工业大学

10：15---10：30休息

10：30--10：50J5

报告题目：GaN基蓝光量子阱LED量子效率下降机制的理论分析

王嘉星，汪莱，郝智彪；清华大学

基于GaN基LED的半导体照明光源具有效率高、寿命长等优势。但是，GaN基LED中存在的大注入条件下量子效率下降(EfficiencyDroop)现象是制约它在大功率照明中应用的重要瓶颈之一，也是国内外目前争论的热点。

本文综合考虑可能导致量子效率下降的三个因素：局域化载流子的解局域化、载流子的泄露、以及俄歇复合，建立了描述GaN基蓝光量子阱LED光效Droop效应的物理模型。通过和实际LED量子效率

下降曲线的拟合，验证了模型的合理性；并且拟合的结果说明，LED的量子效率下降主要来源于较大注入下的载流子解局域化以及更大注入下的载流子泄露。另一方面，通过对不同参数的LED进展仿真分析，觉察不同构造LED量子效率下降的主要起因不一样。

10：50--11：10J6

报告题目：双离子注入制备p型ZnO薄膜

吴永庆，王炜，吴亮；中国科学院上海硅酸盐争论所

ZnO作为一种型宽禁带半导体材料，由于其具有较大的禁带宽度和较高的激子束缚，是一种抱负的短波长发光材料，在短波长发光二极管、激光器、探测器和太阳能电池等方面有着宽阔的应用前景。实现和掌握高质量P型掺杂是ZnO薄膜应用的关键。本文承受双离子注入技术对脉冲激光沉积法制备的ZnO薄膜进展Li、N和Ga、N共掺，利用AFM、XRD、PL、Raman及Hall对ZnO薄膜的外表形貌、微观构造和光电性能进展了争论。结果说明，双离子共掺可以获得稳定的p型ZnO薄膜。

11：10--11：30J7

报告题目：AZO薄膜作缓冲层对InN低温沉积的影响

支安博，秦福文，白亦真；大连理工大学

利用电子盘旋共振-等离子增加金属有机物化学气相沉积〔ECR-PEMOCVD〕方法，在AZO薄膜

〔ZnO:Al〕作缓冲层的玻璃衬底上承受两步法低温沉积了呈高度C轴择优取向的InN薄膜。利用反射高能电子衍射〔RHEED〕、X射线衍射〔XRD〕、原子力显微镜〔AFM〕和透射光谱，争论了AZO薄膜作缓冲层对InN薄膜的结晶性、外表形貌与光学性质的影响。结果说明，作为缓冲层的AZO薄膜能有效缓解晶格失配以提高InN的晶体质量，并沉

积上了结晶性较好的呈C轴择优取向的InN薄膜。 黄色为主，而且受到日本日亚化学公司专利

的限制，因此开发型的、具有丰富发光波

单元J2：6月19日下午主持人：张国义，XXX13：30—13：40会议致辞

13：40--14：10*J8

报告题目：散热材料争论进展张劲松；中国科学院金属争论所

14：10--14：40*J9

报告题目：待定

周少雄；钢铁争论总院

14：40--15：10J10

报告题目：功率型LED封装用有机硅材料争论进展

展喜兵，张军营，汪晓璐；北京化工大学

封装材料是功率型发光二极管〔LED〕封装的重要组成局部，是目前各国学者们争论的热点，它的性能将直接影响LED器件的取光效率和使用寿命。该文论述了功率型LED封装材料的作用及性能要求，并对LED封装材料的进展状况进展了介绍，重点是对高折射有机硅封装材料的争论现状进展了论述。

15：10--15：