- 1、本文档共13页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
文档概述硅沟道功率mosfet康乃馨方案cs6n70a3h1是一款高性能的全电容MOSFET产品,其优势在于减少导线损耗提高开关性能提升RDSON性能以及降低逆向传输电容电阻该方案采用SiNChannel增强VDMOSFETs技术,并且通过自align计划化实现高效功率转换,适用于系统小型化和更高效率的电路设计特点包括快速切换低ON阻抗低gatecharge和低反向转移电容电阻总之,该硅沟道功率mosfet设计方案具有显著的优势,适合各种电源领域的需求
HuajingDiscreteDevicesR
○
SiliconN-ChannelPowerMOSFET
CS6N70A3H1-G
GeneralDescriptionVDSS700V
CS6N70A3H1-G,thesiliconN-channelEnhancedVDMOSFETs,ID6A
isobtainedbytheself-alignedplanarTechnologywhichreducePD(TC25℃)85W
theconductionloss,improveswitchingperformanceandRDS(ON)Typ1.8Ω
enhancetheavalancheenergy.Thetransistorcanbeusedin
variouspowerswitchingcircuitforsystemminiaturizationand
higherefficiency.ThepackageformisTO-251,whichaccordswith
theRoHSstandard.
Features
FastSwitching
LowONResistance(Rdson≤2.2Ω)
LowGateCharge(TypicalData:18.6nC)
LowReversetransfercapacitances(Typical:6.6pF)
100%SinglePulseavalancheenergyTest
Applications
Powerswitchcircuitofadaptorandcharger.
Absolute(Tc25℃unlessotherwisespeci
文档评论(0)