- 1、本文档共13页,其中可免费阅读4页,需付费120金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
GaN材料的欧姆接触争论进展
摘要:III-V族GaN基材料以其在紫外光子探测器、发光二极管、高温及大功率电子器件方面的应用潜能而被广为争论。低阻欧姆接触是提高GaN基器件光电性能的关键。金属/GaN界面上较大的欧姆接触电阻始终是影响器件性能和牢靠性的一个问题。对于各种应用来说,GaN的欧姆接触需要得到改进。通过对相关文献的归纳分析,本文主要介绍了近年来在改进n-GaN和p-GaN工艺、提高欧姆接触性能等方面的争论进展。
关键词:GaN;欧姆接触
引 言
近年来,氮化镓〔GaN〕因其在紫外探测器、发光二极管〔LED〕、高温大功率器件和高频微波器件等领域的广泛应用前景而
文档评论(0)