parison-of state the art heterojunction bipolar devices hbt based algaas and journa基于藻类气体sigeingaas先进异质结双极器件模型.pdfVIP

parison-of state the art heterojunction bipolar devices hbt based algaas and journa基于藻类气体sigeingaas先进异质结双极器件模型.pdf

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摘要本文主要对比了三种新型heterojunction型生物基bipolar二极管BiHbt,并分析其性能与一般基二极管进行了比较此外,还通过实验对比了三个不同型号的HBT模型,并在一些关键特性上进行了分析最后,我们根据文献回顾和实验结果得出结论该研究涵盖了上述所有类型的HBT,包括最广泛的IV行为,稳定性,功率放大以及最小的噪声条件DC和bias点模拟也得到了详细的实验证明总结这是一篇全面的研究,包含了从最广泛的IV行为到最小的噪声条件的详细分析同时,本

MicroelectronicsJournal35(2004)901–908

Performancecomparisonofstate-of-the-artheterojunctionbipolardevices

(HBT)basedonAlGaAs/GaAs,Si/SiGeandInGaAs/InP

OnurEsame,YasarGurbuz*,IbrahimTekin,AyhanBozkurt

FacultyofEngineeringanturalSciences,SabanciUniversity,Orhanli,Tuzla,34956Istanbul,Turkey

Received10June2004;receivedinrevisedform12July2004;accepted14July2004

Availableonline12September2004

Thispaperpresentsacomprehensivecomparisonofthreestate-of-the-artheterojunctionbipolartransistors(HBTs);theAlGaAs/GaAs

HBT,theSi/SiGeHBTandtheInGaAs/InPHBT.Ouraiminthispaperistofindthepotentialsandlimitationsofthesedevicesandanalyze

themundercommonFigureofMerit(FOM)definitionsaswellastomakeameaningfulcomparisonwhichisnecessaryforatechnology

choiceespeciallyinRF-circuitandsystemlevelapplicationssuchaspoweramplifier,lownoiseamplifiercircuitsandtransceiver/receiver

systems.SimulationofanHBTdevicewithanHBTmodelinsteadoftraditionalBJTmodelsisalsopresentedfortheAlGaAs/GaAsHBT.

Tothebestofourknowledge,thisworkcoversthemostextensiveFOManalysisforthesedevicessuchasIVbehavior,stability,powergain

analysis,characteristicfrequenciesandminimumnoisefigure.DCandbiaspointsimulationsofthedevicesareperformedusingAgilent’s

ADSdesigntoolandacomparisonisgivenforawiderangeofFOMspecifications.Basedonourliteraturesurveyandsimulationresults,

wehaveconcludedthatGaAsbasedHBTsaresuitableforhigh-powerapplicationsduetotheirhigh-breakdownvoltages,SiGebasedHBTs

arepromisingforlownoiseapplicationsduetotheirlownoisefiguresandInPwillbet

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