SiC功率模块封装技术及展望.docx

摘要

SiCMOSFET器件的集成化、高频化和高效化需求，对功率模块封装形式和工艺提出了更高的要求。本文中总结了近年来封装形式的结构优化和技术创，包括键合式功率模块的金属键合线长度、宽度和并联数量对寄生电感的影响，直接覆铜〔DBC〕的陶瓷基板中陶瓷层的面积和高度对寄生电容的影响，以及承受叠层换流技术优化寄生参数等成果；综述了双面散热构造的缓冲层厚度和外形对散热指标和应力与形变的影响；汇总了功率模块常见失效机理和解决措施，为模块的安全使用供给参考。最终探讨了先进烧结银技术的要求和关键问题，并展望了烧结封装技术和材料的进展方向。

前言

近几十年来，以进展起来的第3代宽禁带功