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STI及WPE问题及幅员留意
分locos隔离和STI隔离
Locos隔离是厚氧隔离，STI是浅沟道隔离
STI的概念
STI是ShallowTrenchIsolation的缩写，STI压力效应就是浅槽隔离压力效应。为了完成有源器件的隔离，在它四周必需形成绝缘侧壁，在较为先进的CMOS工艺制成中，通常用STI的方法来做隔离。浅槽隔离利用高度各向异性反响离子刻蚀在外表切出了一个几乎垂直的凹槽。该凹槽的侧壁被氧化，然后淀积多晶硅填满凹槽的剩余局部[1]。
在substrate挖出浅槽时会产生压力的问题。由于集中区到MOS管的距离不同，压力
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