插装元器件的封装技术.pptVIP

插装元器件的封装技术概述1、电子管：（20世纪50、60年代）由插脚引线连接内部的各个电极，通过每个插脚再连到外部电路基板的插座上。所谓的电路基板，则是固定了各类元器件插座的底座，底座下面是杂散固定着的大型电阻器、电容器、电感器等。各元器件及电路间的走线都是各色又祖又长的塑封导线，然后用束线来将散乱的导线捆扎成束。2、晶体管各类晶体管的封装类型主要有玻封二极管和金属封装的三极管。普通管有3根长引线，高频管或需要外壳接地的晶体管有4根长引线，晶体管的金属底座与c极相通，而e、b两极则通过金属底座的开孔，用玻璃绝缘子隔离，金属帽与金属底座的边缘进行密封焊接。这就构成了至今仍沿用的To型金属--玻璃绝缘子全密封封装结构。由于晶体管体积小、电压低、耗电省，所以在覆铜板上刻蚀成所需的电路图形后，元器件穿过通孔焊接在铜焊区上即可，少量的连接线也用细导线连接。这时的装配方式往往可以进行半自动插装，焊接也采用浸焊形式了。这样，既提高了生产效率和产量，又提高了焊接的一致性，从而提高了焊点的质量和电子产品的可靠性。

插装元器件的封装技术3、集成电路1958年发明了集成电路，它是完成一定功能的多个晶体管的集成。这样，3-4个I/O引脚就不够用了，这时的全密封封装仍然采用TO的形式，只是底座周围的I/O引线更多了。随着Ic集成度的提高，对I/O数要求越来越高，于是开发出单列直插封装(SIP)、双列直插封装(D1P)、针栅阵列封装和扁平外形封装等。插装元元器件的封装形式主要有PDIP、PGA和HIC用的金属插装外壳封装。尽管至2002年插装元器件封装特别是PDIP的比例只占所有封装的10％，但绝对数量仍有91亿块，插装元器件件与SMD在同一块PWB上然要延用相当长的时间。近几年，PDIP的减少速度正在变慢，在各类大量民用产品中，插装元器件仍具有强大的生命入。再就是HIC若干年来一直与IC芯片保持10％的比例，今后一段时间内大体仍将保持这一比例。因此，用于HIC的金属外壳封装仍将稳步地获得增长。

插装元器件的分类与特点按外形分类:圆柱形外壳封装(TO)、矩形单列直插式封装(SIP)、双列直插式封装(DIP)和针栅陈列封装(PGA)按材料分类:金属封装、陶瓷封装、塑料封装金属封装和陶瓷封装一般为气密性封装,多用于军品和可靠性要求高的电子产品中塑料封装属于非气密性封装,适用于工艺简单,成本低廉的大批量生产,多用于民用电子产品中.插装元器件的封装技术

DIP插装元器件的封装技术

插装型晶体管的封装技术TO型金属封装技术TO型金属封装是使用最早、应用最为广泛的晶体管封装结构,内部结构如下:

插装型晶体管的封装技术封装工艺:先将芯片固定在外壳底座的中心,常采用Au-Sb合金共熔法或者导电胶粘接固化法使晶体管的接地极与底座间形良好的欧姆接触对于IC芯片,还可以采用环氧树碑粘接固化法然后在芯片的焊区与接线柱间用热压焊机或超声焊机钭Au丝或Al丝连接起来接着将焊好内引线的底座移到干燥箱中操作,并通以惰性气体或N2,保护芯片最后将管帽套在底座周围的凸缘上，利用电阻熔焊法或环法平行缝焊法将管帽与底座边缘焊牢，并达到密封要求．

插装型晶体管的封装技术TO型塑料封装技术塑料封装工艺简便易行，适于大批量生产，成本低廉．工艺过程：先将I/O引线冲制成引线框架，然后在芯片焊区将芯片固定，再将芯片在的各焊区用ＷＢ焊到其它引线键合区，即完成了装架及引线焊接工序．接着完成注塑封装工作，然后开模，整修塑封毛刺，再切断各引线框架不必要的连接部分，就成为单独的TO型塑料件．然后切筋，打弯，成形和镀锡．图为连续塑封成型略图：

SIP和DIP的封装技术SIP的封装技术通常用于厚薄HIC及PWB的，基板多为陶瓷基板（如Al２O３）．I/O数只有几个或十多个，可将引脚引向一边，用镀Ni，镀Ag或镀Pb-Sn的“卡式”引线卡在基板一边的I/O焊区上，用电烙铁将焊点焊牢，可将卡式引线浸入熔化的Pb-Sn槽中进行浸焊，还可以在卡式引线的I/O焊区上涂焊膏，然后成批放于再流焊炉中进行再流焊．PWB上的焊接工艺与之相同SIP的插座占的基板面积小，插取自如，工艺简单，适于多品种，小批量的HIC及PWB基板封装，还便于引线的更换和返修．

SIP和DIP的封装技术DIP封装技术双列直插式封装（DIP）是20世纪60年代开发出来的最具代表性的IC芯片封装结构．在ＳＭＴ元器件出现之前是７０年代大量应用于中，小规模IC芯片的主导封装产品，引线数４－６４．产品也呈系列化，标准化，品种规格齐全类型：陶瓷全密封型DIP(CDIP），塑封型DIP(PDIP），窄节距DIP(SDIP）等CDIP封装技术陶瓷熔封DIP(CerDIP)的封装技术

DIP封装技术引线节距