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霍尔效应测量磁场
【实验目的】
(1)了解霍尔效应的基本原理
(2)学习用霍尔效应测量磁场
【仪器用具】
仪器名
参数
电阻箱
?
霍尔元件
?
导线
?
SXG-1B毫特斯拉仪
±(1%+0.2mT)
PF66B型数字多用表200mV档
±(0.03%+2)
DH1718D-2型双路跟踪稳压稳流电源
0~32V0~2A
Fluke15B数字万用表电流档
±(1.5%+3)
VictorVC9806+数字万用表200mA档
±(0.5%+4)
【实验原理】
霍尔效应法测量磁场原理
若将通有电流的导体至于磁场B之中,磁场B(沿着z轴)垂直于电流IS(沿着x轴)的方向,如图1所示则在导体中垂直于B和IS方向将出现一个横向电位差UH,这个现象称之为霍尔效应。
图SEQ图\*ARABIC1霍尔效应示意图
若在x方向通以电流IS,在z方向加磁场B,则在y方向A、A′两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的附加电场.当载流子所受的横向电场力FE洛伦兹力FB相等时:
q
此时电荷在样品中不再偏转,霍尔电势差就有这个电场建立起来。
N型样品和P型样品中建立起的电场相反,如图1所示,所以霍尔电势差有不同的符号,由此可以判断霍尔元件的导电类型。
设P型样品的载流子浓度为p,宽度为w,厚度为的d。通过样品电流IS=pqvwd,则空穴速率v=IS/pqwd,有
U
其中RH=1/pq称为霍尔系数,KH=RH/d=1/pqd称为霍尔元件灵敏度。
霍尔元件的副效应及其消除方法
在实际测量过程中,会伴随一些热磁副效应,这些热磁效应有:
埃廷斯豪森效应:由于霍尔片两端的温度差形成的温差电动势UE
能斯特效应:热流通过霍尔片在其端会产生电动势UN
里吉—勒迪克效应:热流通过霍尔片时两侧会有温度差产生,从而又产生温差电动势UR
除此之外还有由于电极不在同一等势面上引起的不等位电势差U0
为了消除副效应,在操作时我们需要分别改变IH和B的方向,记录4组电势差的数据
当IH正向,B正向时:U
当IH负向,B正向时:U
当IH负向,B负向时:U
当IH正向,B负向时:U
取平均值有
1
测量电路
图SEQ图\*ARABIC2霍尔效应测量磁场电路图
霍尔效应的实验电路图如图所示。IM是励磁电流,由直流稳流电源E1提供电流,用数字万用表安培档测量IM。IS是霍尔电流,由直流稳压电源E2提供电流,用数字万用表毫安档测量IS,为了保证IS的稳定,电路中加入电阻箱R进行微调。UH是要测的霍尔电压,接入高精度的数字多用表进行测量。
根据原理(2)的说明,在实验中需要消除副效应。实际操作中,依次将IS、IM的开关K1、K2置于(+,+)、(-,+)、(-,-)、(+,-)状态并记录Ui即可,其中+表示正向接入,-表示反向接入。
【实验内容】
测量霍尔电流IS和霍尔电压UH的关系
将霍尔片置于电磁铁靠近中心处(便于稍后测量磁场)
调节IM=0.598A,调节R及E2使得IS=246810mA,测量并记录霍尔电压UH,每次消除副效应
更换输入端口,重复1.2的操作
作出UH-IS图,验证其线性关系
测量KH
保持IS=10mAIM=0.1A
调节IM使其从0.1~1.0A每间隔0.1A分别测量并记录磁场强度B和霍尔电压UH。每次测量旋转探头使得读数最大,以保证探头霍尔片垂直于磁场
根据原理(1)中给出的线性拟合得到KH
由得到的KH,根据在不同IM时测得的UH计算B,作出B-IM曲线
测量磁场的水平分布
保持IM=0.6AIS=10mA
读取并记录支架水平标尺读数x和霍尔电压UH
旋转旋钮,使得霍尔片处于磁场中不同的位置,重复3.2
根据测得的UH计算B,作出B-x曲线
【实验数据及处理结果】
测量霍尔电流IS和霍尔电压UH的关系
表格1UH-IS关系数据表IM=0.598A
IS/mA
2.00
4.00
6.00
8.00
10.00
U1/mV
8.13
16.22
24.33
32.44
40.57
U2/mV
8.13
16.24
24.40
32.55
40.76
U3/mV
8.02
16.00
23.99
32.01
40.03
U4/mV
8.01
16.02
24.05
32.13
40.23
UH/mV
8.07
16.12
24.19
32.28
40.40
图SEQ图\*ARABIC3Uh-Is关系图
拟合结果R2=1的UH-IS确符合线性关系
测量KH
表格2测量KH数据表IS=10.00mA
IM/A
B/mT
U1/mV
U2/mV
U3/mV
U4/mV
UH/mV
0.103
36.5
6.99
7.22
6.37
6.69
6.82
0.197
69.6
13.30
1
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