PSCAD中的变压器模型.docx

IntroductiontoTransformers〔引言〕

EMTDC中使用变压器有两种方法：经典方法和统一的磁等效电路〔unifiedmagneticequivalentcircuit(UMEC)〕方法。

经典方法用来模拟同一变压器铁芯上的绕组。也就是说，每一相都是独立的，各单相变压器之间没有相互作用。而UMEC方法计及了相间的相互作用：由此，可以对3相3臂或3相5臂式变压器构造进展准确的模拟。

每一模型中，铁芯的非线性特征是最根本的不同。经典模型中的铁芯饱和是通过对选定绕组使用补偿注入电流实现的。UMEC方法承受完全插值，承受分断线性化的-I曲线来表征饱和特性。

TransformerModelsOverview〔变压器模型概述〕

对电力系统进展电磁暂态分析过程中必定会消灭变压器。PSCAD中有两种方法对变压器进展模拟：经典方法和UMEC方法。

经典方法仅限于单相设备，其中不同的绕组处于同一铁芯腿上。而UMEC方法，考虑到来铁芯的几何外形和相间的相互耦合因素。

除了以上的显著区格外，两种变压器模型之间最根本的区分是对铁芯非线性特性的描述。在经典模型中，非线性特性承受近似地基于“拐点”、“空心电抗”和额定电压的磁化电流曲线进展模拟。而UMEC模型则直接承受V-I曲线进展模拟。

与经典模型不同，UMEC模型没有配置在线分接头调整功能。但是，可以在指定绕组上设置分接头，不过分接头在仿真过程中不能动态调整。

1-PhaseAutoTransformer〔单相自耦变压器〕

此组件基于经典方法模拟了单相自耦变压器。用户可以选择承受磁化支路〔线性铁芯〕或注入电流模拟磁化特性。抱负状况下，可以无视磁化支路，变压器即为抱负模式，仅保存串联的漏抗。

3-PhaseStar-StarAutoTransformer〔三相星形连接的自耦变压器〕

此组件模拟了由3个单相构成的3相自耦变压器。用户可以选择承受磁化支路〔线性铁芯〕或注入电流模拟磁化特性。抱负状况下，可以无视磁化支路，变压器即为抱负模式，仅保存串联的漏抗。

此组件有以下外部连接：

Topleftconnection: 高压侧

Toprightconnection: 低压侧

Bottomleftconnection:三相绕组的星形连接点

其连接方式如以下图所示:

ModelingAutotransformers〔模拟自耦变压器〕

在PSCAD中，除了可直接使用上述的自耦变压器模型外，用户还可以借助现有的具有适宜分接头的变压器分模型可自己构造自耦变模型。

如以下图所示，其为单相自耦变的等效电路，使用了经典的单相变压器组件，其分接头位于二次侧〔这是模拟自耦变的可行方法〕。分接头可以设定一个较大的运行范围。

按如下图构造的自耦变模型与实际的自耦变模型相比，在使用上有一些留意事项：

以上构造准确模拟了自耦变分接头在100%设定值时的状况。

分接头设定值的转变通过变压器匝数比的转变来模拟。分接头位于100％位置时的单位标么电抗和磁化电流用于计算的电压变比〔对应分接头位于其它位置〕下的导纳。磁化支路〔非抱负变压器〕置于两个绕组电抗之间。

比方，假设无视磁化电流，二次绕组带有分接头的导纳阵计算如下：

这里：

L?L

1

a2L

2

，是从绕组1看去的绕组1和2之间的漏抗；

LL

L

L

22

11

a? ?V

1，变比；

2

T=二次侧绕组分接头设定值。

假设计及磁化电流，表达式于上类似不过更为简单。

Classical〔经典模型〕

1-Phase2-WindingTransformer〔单相两绕组变压器〕

本组件基于经典模型构造方法模拟了单相两绕组变压器。用户可以选择承受磁化支路〔线性铁芯〕或注入电流模拟磁化特性。抱负状况下，可以无视磁化支路，变压器即为抱负模式，仅保存串联的漏抗。

1-Phase3-WindingTransformer〔单相三绕组变压器〕

本组件基于经典模型构造方法模拟单相三绕组变压器。用户可以选择承受磁化支路

〔线性铁芯〕或注入电流模拟磁化特性。抱负状况下，可以无视磁化支路，变压器即为抱负模式，仅保存串联的漏抗。

3-Phase2-WindingTransformer〔三相两绕组变压器〕

本组件基于经典模型构造方法模拟三相两绕组变压器。用户可以选择承受磁化支路〔线性铁芯〕或注入电流模拟磁化特性。抱负状况下，可以无视磁化支路，变压器即为抱负模式，仅保存串联的漏抗。

本组件可等效地由三个单相两绕组变压器连接构成，用户可以选择每侧绕组的互联形式，Y或Δ。经典模型中不考虑相间互感。如以下图所示，即为使用单相变压器进展构

造