PECVD工艺原理及操作.docx

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PECVD工艺原理及操作

名目一．根本原理二．工艺流程三．设备构造四．根本操作五．特别处理工艺部报告人:2

根本原理?PECVD：PlasmaEnhancedChemicalVapourDeposition等离子增加化学气相沉积?等离子体：气体在肯定条件下受到高能激发，发生电离，部格外层电子脱离原子核，形成电子、正离子和中性粒子混合物组成的一种形态，这种形态就称为等离子态即第四态。

工艺部报告人:3

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根本原理电阻加热真空蒸发感应加热电子束加热激光加热直流溅射?物理气相沉积〔PVD〕溅射沉积射频溅射磁控溅射离子束溅射直流二极型离子镀离子镀射频放电离子镀等离子体离子镀报告人:工艺部

根本原理?工作原理3SiH4+4NH3→Si3N4+12H2↑利用低温等离子体作能量源，利用肯定方式使硅片升温到预定的温度，然后通入适量的反响气体，气体经一系列化学反应和等离子体反响，在硅片外表形成固态薄膜。

PECVD方法区分于其它CVD方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以供给化学气相沉积过程所需的激活能。

电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，因而显著降低CVD薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进展的CVD过程得以在低温下实现。

工艺部报告人:5

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根本原理?其它方法的沉积温度：APCVD—常压CVD，700-1000℃LPCVD—低压CVD，750℃，0.1mbarPECVD—300-450℃，

0.1mbar?PECVD的一个根本特征是实现了薄膜沉积工艺的低温化

〔lt;450℃〕。

因此带来的好处：?节约能源，降低本钱?提高产能?削减了高温导致的硅片中少子寿命衰减?其他优点：?沉积速率快?成膜质量好?缺点：?设备投资大、本钱高，对气体的纯度要求高?镀膜过程中产生的猛烈噪音、辐射、粉尘等对人体有害报告人:工艺部6

根本原理?PECVD种类:间接式—基片不接触激发电极〔如2.45GHz微波激发等离子〕工艺部报告人:7

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根本原理?PECVD种类:直接式—基片位于电极上，直接接触等离子体

〔低频放电10500kHz或高频13.56MHz〕工艺部报告人:8

基本原理管式PECVD系统直接法 板式PECVD系统PECVDCentrotherm、四十八所、七星华创日本岛津微波法Rothamp;Rau间接法直流法OTB工艺部报告人:

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