三洋电机半导体业务部东京大厦ueno三极管2sc3676.pdfVIP

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NPNTripleDiffusedPlanarSiliconTransistor

2SC3676

900V/300mAHigh-VoltageAmplifier

High-VoltageSwitchingApplications

ApplicationsPackageDimensions

·Highvoltageamplifiers.unit:mm

·High-voltageswitchingapplications.2010C

·Dynamicfocusapplications.

[2SC3676]

Features

·Highbreakdownvoltage(VCEOmin=900V).

·SmallCob(Cobtyp=5.0pF).

·WideASO(AdoptionofMBITprocess).

·Highreliability(AdoptionofHVPprocess).

1:Base

JEDEC:TO-220AB

2:Collector

EIAJ:SC46

Specifications3:Emitter

AbsoluteumRatingsatTa=25°C

ParameterSymbolConditionsRatingsUnit

Collector-to-BaseVoltageVCBO

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