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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN102664177A
(43)申请公布日2012.09.12
(21)申请号CN201210153042.X
(22)申请日2012.05.16
(71)申请人中国科学院电工研究所
地址100190北京市海淀区中关村北二条6号
(72)发明人钟玉林苏伟孟金磊温旭辉
(74)专利代理机构北京科迪生专利代理有限责任公司
代理人关玲
(51)Int.CI
H01L25/07
H01L23/367
H01L23/522
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
一种双面冷却的功率半导体模块
(57)摘要
一种双面冷却的功率半导体模块。
所述的功率半导体模块（100）含有至少两
个功率半导体芯片（107、106），其位于
第一衬底（115）和第二衬底（103）之
间。每个衬底均由三层结构组成：中间一
层为高导热的电绝缘层，电绝缘层的上层
和下层为金属层。所述的金属层含有电路
结构，通过焊接实现功率半导体芯片、正
极端子、负极端子、交流输出端子和栅极
控制端子之间的互联。功率半导体芯片的
栅极控制端子位于该芯片的中间或边角
处。一块凹形冷却板倒扣安装在第一衬底
（115）上的绝缘层（117）或第一金属层
（215a）上，另一块平板状冷却板水平布
置在第二衬底（103）下面。所述的功率半
导体芯片的热量通过第一衬底（115）和第
二衬底（103）传导至两块冷却板散热，从
而实现双面冷却。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
专利权的转移IPC(主分
类):H01L25/07专利
号:ZL201210153042X登记生效
日更事项:专利权人
变更前权利人:菲仕绿能科技(宁
波)有限公司变更后权利人:株洲专利申请权、专利权
2023-01-10
菲仕绿能科技有限公司变更事项:的转移
地址变更前权利人:315000浙江
省宁波市杭州湾新区滨海二路
248号变更后权利人:412000湖
南省株洲市天元区湘芸路2588号
天易科技城自主创业园一期K2地
块1-1/1-2号栋
权利要求说明书
1.一种双面冷却的功率半导体模块，其特征在于，所述的功率半导体模块（100）
由功率半导体芯片（106、107）、衬底（103、115）、冷却板（101、112）、正极
端子（121）、负极端子（123）、交流输出端子（122）、栅极引出端子（118），
以及发射极引出端子（119）组成；功率半导体模块至少包括两个功率半导体芯片
（106、107）；所述的功率半导体芯片（106、107）位于第一衬底（115）和第二
衬底（103）之间；第一衬底（115）和第二衬底（103）均包含三层结构：中间一
层为电绝缘层，电绝缘层的上层和下层均为金属层；所述的金属层含有电路结构，
所述的功率半导体芯片（106、107）通过所述的电路结构和所述的功率半导体模块
的正极端子（121）、交流输出端子（122）和负极端子（123）连接；第一冷却板
（112）为
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