基于硅基板通孔技术倒装芯片的发光二极管及其制造工艺.pdf

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(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN102769086A

(43)申请公布日2012.11.07

(21)申请号CN201210234808.7

(22)申请日2012.07.09

(71)申请人上海大学

地址200444上海市宝山区上大路99号

(72)发明人殷录桥付美娟张建华翁菲

(74)专利代理机构上海上大专利事务所(普通合伙)

代理人何文欣

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

基于硅基板通孔技术倒装芯片的发

光二极管及其制造工艺

(57)摘要

本发明涉及了一种基于硅基板通孔

技术倒装芯片的发光二极管及其制造工

艺。本发光二极管包括:荧光层、n型电

流扩展层、发光层、p型电流扩展层、金

属反光层、p型电极焊盘、金属通孔、绝

缘层、n型电极焊盘、硅基板线路层、硅

基板绝缘层、硅基板、硅基板负电极、硅

基板负电极金属通孔、硅基板正电极金属

通孔、硅基板正电极焊盘、硅基板通孔绝

缘层、芯片蓝宝石衬底。针对当前大功率

LED存在的结构缺陷,提供一种基于硅基

板通孔技术倒装芯片的发光二极管及其制

造工艺,通过刻蚀技术或者激光技术分别

在倒装LED芯片及硅基板上制作出通孔电

极、并进行共晶焊接完成封装。本发光二

极管器件无需金丝键合,此技术有利于在

大规模晶片级封装的开展,而且此技术不

仅通过通孔提高了散热性能,而且提高了

LED芯片封装的可靠性。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种基于硅基板通孔技术倒装芯片的发光二极管,包括:荧光层(1)、n型电流

扩展层(2)、发光层(3)、p型电流扩展层(4)、金属反光层(5)、p型电极

焊盘(6)、金属通孔(7)、绝缘层(8)、n型电极焊盘(9)、硅基板线路层

(10)、硅基板绝缘层(11)、硅基板负电极焊盘(12)、硅基板电极金属通孔

(13)、硅基板正电极焊盘(14)、硅基板通孔绝缘层(15)、芯片蓝宝石衬底

(17)、硅基板(16);其特征在于在蓝宝石衬底(17)上依次生长有n型电流扩

展层(2)、发光层(3)、p型电流扩展层(4)、金属反光层(5)、p型电极焊

盘(6);通过金属通孔(7)将n型电流扩展层(2)与n型电极焊盘(9)相连接,

n型电极焊盘(9)与硅基板线路层(10)通过共晶连接在一起,并通过硅基板电

极金属通孔(13)连接到硅基板(16)背面的硅基板负电极焊盘(12),p型电流

扩展层(4)依次通过p型电极焊盘(6)、硅基板线路层(10)、硅基板电极金属

通孔(13)与硅基板正电极焊盘(14)相连接。

2.一种制造根据权利1要求所述的基于硅基板通孔技术倒装芯片的发光二极管的制

造工艺,其特征在于工艺步骤如下:

1)在在蓝宝石衬底(17)上依次制作n型电流扩展层(2)、发光层(3)、p型

电流扩展层(4)、金属反光层(5)、p型电极焊盘(6),制作成发光二极管芯

片;

2)通过刻蚀技术或者激光技术在发光二极管芯片、硅基板上进行通孔制作,并在

通孔周壁分别制作绝缘层(8)、硅基板通孔绝缘层(15)后进行金属通孔(7)、

电极金属通孔(13)的制作;

3)分别在芯片电极表面、硅基板表面进行金属层n型电极焊盘(9)、硅基板线路

层(10)、硅基板负电极焊盘(12)、硅基板正电极焊盘(14)的制作;

4)将发光二极管芯片、硅基板进行切割,并通过共晶技术将发光二级管芯片与硅

基板进行焊接;

5)将荧光层(1)与蓝宝石衬底(17)粘结在一起;

6)灌封胶灌封完成整个发光二极管器件的封装。

3.根据权利要求2所述的基于硅基板通孔技术倒装芯片的发光二极管的制造工艺,

其特征在于所述的蓝宝石衬底(17)通过减薄并进行表面微结构制作直径20-

500nm、间距100-1500nm、高度20-20

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