N-甲基-吡咯烷酮前驱体溶液法制备铜铟硒薄膜太阳能电池研究.docx

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N-甲基-吡咯烷酮前驱体溶液法制备铜铟硒薄膜太阳能电池研究

1.引言

1.1背景介绍与意义陈述

铜铟硒(CIS)薄膜太阳能电池由于其较高的光电转换效率、良好的稳定性和环境友好性,已成为当今可再生能源领域的研究热点。其中,N-甲基-吡咯烷酮(NMP)作为一种有效的溶剂,在制备CIS薄膜过程中显示出独特的优势。本研究旨在探讨NMP前驱体溶液法在制备高性能CIS薄膜太阳能电池方面的应用,以期为我国薄膜太阳能电池领域的发展提供理论依据和技术支持。

1.2国内外研究现状

目前,国内外研究者已经在CIS薄膜太阳能电池的制备方法、结构与性能优化等方面取得了显著成果。在制备方法方面,溶液法因其设备简单、成本低廉、易于大面积制备等优点而受到广泛关注。在溶液法制备CIS薄膜的过程中,前驱体溶液的选择和优化是影响薄膜性能的关键因素。近年来,研究者们对NMP前驱体溶液法制备CIS薄膜进行了深入研究,并取得了一定的成果。然而,关于NMP前驱体溶液法在CIS薄膜太阳能电池中的应用仍有待进一步探讨。在本研究中,我们将对NMP前驱体溶液法制备CIS薄膜的原理、实验方法和影响因素进行分析,为优化CIS薄膜太阳能电池的性能提供参考。

2N-甲基-吡咯烷酮前驱体溶液法制备铜铟硒薄膜的原理

2.1铜铟硒薄膜太阳能电池概述

铜铟硒(CIGS)薄膜太阳能电池是一种具有高转换效率和良好稳定性的薄膜太阳能电池。它由铜(Cu)、铟(In)、镓(Ga)和硒(Se)四种元素组成,其中铜和铟的比例大约为1:1,镓可以用来调节带隙宽度,硒则是形成半导体的重要组分。CIGS薄膜太阳能电池因其较高的吸收系数和可调整的带隙,成为目前薄膜太阳能电池中的研究热点之一。

CIGS薄膜太阳能电池的结构主要包括缓冲层、吸收层、窗口层和背接触层。其中,吸收层是整个电池的核心部分,决定了电池的光电转换效率。目前,CIGS薄膜太阳能电池的实验室转换效率已经超过了20%,展现出巨大的应用潜力。

2.2N-甲基-吡咯烷酮前驱体溶液法的原理与优势

N-甲基-吡咯烷酮(NMP)前驱体溶液法是制备CIGS薄膜的一种溶液工艺,其主要原理是将铜、铟、镓和硒的金属有机化合物溶解在NMP溶剂中,通过旋涂、喷墨打印等方法在玻璃、塑料等柔性或刚性基底上形成均匀的薄膜。

这种方法的优势表现在以下几个方面:

工艺简单:NMP前驱体溶液法无需高成本、高真空的设备,有利于降低生产成本,便于大规模生产。

易于控制:溶液法制备CIGS薄膜可以通过调节前驱体浓度、旋涂速度等参数,实现对薄膜成分和厚度的精确控制。

成本较低:NMP作为一种有机溶剂,具有较高的沸点和良好的溶解性能,有利于降低原料成本。

环境友好:NMP前驱体溶液法相较于其他制备方法,具有较低的环境污染和毒性,有利于环境保护。

通过N-甲基-吡咯烷酮前驱体溶液法制备的CIGS薄膜太阳能电池,在保证较高光电转换效率的同时,降低了生产成本,具有良好的应用前景。

3.实验材料与实验方法

3.1实验材料

实验中主要使用了以下材料:N-甲基-吡咯烷酮(NMP)作为溶剂,铜(Cu)、铟(In)和硒(Se)作为前驱体元素,购自国药集团化学试剂有限公司,纯度均大于99.99%。此外,还使用了玻璃衬底、旋转蒸发器、真空手套箱、磁力搅拌器、射频磁控溅射仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、四探针测试仪以及标准太阳光模拟器等设备和仪器。

3.2实验方法

3.2.1铜铟硒薄膜的制备

首先,将铜、铟和硒的前驱体按照一定摩尔比称量后,加入N-甲基-吡咯烷酮溶剂中,磁力搅拌至完全溶解,得到均匀的前驱体溶液。然后,采用旋涂法在玻璃衬底上涂覆前驱体溶液,旋涂速度设置为3000rpm,时间为30秒。涂覆完成后,将样品放入真空手套箱中,以减缓溶剂挥发和前驱体的氧化。

随后,将制备好的样品进行热处理,热处理温度和时间分别为150℃和30分钟。热处理后,在N2气氛下,使用射频磁控溅射仪在玻璃衬底上沉积铜铟硒薄膜,溅射功率为100W,工作气压为0.5Pa。

3.2.2结构与性能表征

铜铟硒薄膜的结构和性能分别采用以下方法进行表征:

X射线衍射仪(XRD)分析薄膜的晶体结构;

扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜的表面形貌;

能谱仪(EDS)分析薄膜的元素组成;

四探针测试仪测量薄膜的电学性能;

标准太阳光模拟器测试薄膜的光电转换效率。

以上实验方法为制备和表征N-甲基-吡咯烷酮前驱体溶液法制备的铜铟硒薄膜太阳能电池提供了基础。通过这些实验方法,可以进一步研究铜铟硒薄膜的性能及其影响因素,为优化薄膜太阳能电池的制备工艺和提高光电转换效率提供依据。

4实验结果与讨论

4.1铜铟硒薄膜的结构分析

在本研究中,通过N-甲基-吡咯烷酮前驱体溶液法制备的铜铟硒(CIS)薄膜的结

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