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TSDC法争论聚乙烯基吡咯烷酮驻极体的电荷存储性能
时原
【摘要】使用TSDC(热刺激去极化电流)法,在2℃/min和3.5℃/min两种加热速率下,温度范围30~250℃,测量了聚乙烯吡咯烷酮驻极体(PVP)的放电过程.结果说明,TSDC谱图中(230±5)℃位置的最顶峰ρ峰,是来源于热刺激下被困空间电荷的退陷阱.ρ峰的电流格外大,是由于PVP分子的侧基是包含了内酰胺的吡咯烷酮环构造,属于强极性基团,这就导致分子内体陷阱增多,被困空间电荷量大大增加,热刺激下脱困的空间电荷也大幅增加;并且还加深了PVP的陷阱深度,这些特性使得PVP驻极体具有优良的存
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