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硅穿孔(TSV)技术攻关联合体
第1期(基于TSV硅转接板集成技术争论)合作协议
第一章总则
为促进中国3D硅穿孔(TSV)集成技术进展，奠定产业化根底，通过联合攻关，促进相关各项技术环节进展，同时培育外乡相关产业技术力量，构建产业链，由中国科学院微电子研究所牵头，国内企业和争论单位参与，组织本技术攻关联合体。
TSV技术攻关联合体是一个非官方技术研发组织，以针对TSV产业化的共性技术开展系列课题研发，解决共性技术难题，供给解决方案为目的。
争论联合体的第1期争论课题为“基于TSV硅转接板集成技术争论”。从本协议签署后开头，争论周期为18个月。
其次章协议单位
第1条本技术攻
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