使用原位图像修改层的高分辨率成像工艺.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN101523290A

(43)申请公布日2009.09.02

(21)申请号CN200780037691.0

(22)申请日2007.10.23

(71)申请人国际商业机器公司

地址美国纽约阿芒克

(72)发明人J·T·阿兹佩罗兹W-S·黄M·劳森K·帕特尔

(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所

代理人吴立明

(51)Int.CI

G03F7/095

G03F1/10

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

使用原位图像修改层的高分辨率成

像工艺

(57)摘要

一种在衬底上形成构图的材料层的

方法。在衬底上形成光刻胶层，继而在光

刻胶层上形成图像修改材料。构图图像修

改材料以形成图像修改图案。然后将图像

修改图案和下层光刻胶曝光于适当照射。

图像修改图案修改该图像修改图案之下的

光刻胶层内的图像强度。然后将所得图案

转印到衬底中。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种在衬底上形成构图的材料层的方法，所述方法包括：

a.提供在其表面上具有材料层的衬底；

b.在所述材料层上涂敷光刻胶组合物以在所述材料层上形成光刻胶层；

c.在所述光刻胶层上涂敷材料组合物以在所述光刻胶层上形成图像修改材料层；

d.构图所述图像修改材料层以在所述光刻胶层上形成图像修改图案；

e.使用波长λsub1/sub的成像照射来曝光所述图像修改图案和光刻胶层，使得

所述图像修改图案修改所述图像修改图案之下的所述光刻胶层内的图像强度；

f.去除所述图像修改图案；

g.对所述光刻胶层的部分进行显影以由此在所述衬底上形成构图的光刻胶层；以及

h.将所述构图的光刻胶层转印到所述材料层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述图像修改材料层是光刻胶，并且通过使用

波长λsub2/sub的成像照射来按照图案曝光所述图像修改层、继而对所述图像

修改层的部分进行显影以由此形成所述图像修改图案来形成所述图像修改图案。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述成像照射的波长λsub2/sub大于1nm

并且少于800nm。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述成像照射的波长λsub2/sub大于1nm

并且少于249nm。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述成像照射的波长λsub2/sub是193nm。

6.根据任一前述权利要求所述的方法，其中所述图像修改材料层选自于包括正型光

刻胶和负型光刻胶的组。

7.根据任一前述权利要求所述的方法，其中步骤d中的所述图像修改图案包括开口，

并且在步骤d之后还包括以下步骤：在所述开口中涂敷补充性的图像修改材料以形

成所述图像修改图案的部分。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述补充性的图像修改材料层选自于包括正型

光刻胶和负型光刻胶的组。

9.根据任一前述权利要求所述的方法，其中所述图像修改材料层涂覆有顶部抗反射

涂层。

10.根据任一前述权利要求所述的方法，其中所述衬底涂覆有底部抗反射涂层。

说明书

技术领域

本发明涉及半导体光刻工艺并且具体地涉及一种用于获得高分辨率半导体特征的半

导体光刻处理方法。

背景技术

半导体器件制造业对作为用来生成亚微米特征的手段的光刻工艺有高要求。微型电

子器件的新几何形状和不断收缩的尺度在产生纵横比更大的更高分辨率特征的能力

和在外形之上成像的能力方面要求提高光刻胶性能。

电子工业内的显著性能提高和成本减少可以在很大部分上归功于光学光刻领域中的

创新。光学投影步进扫描机与其它构图技术相比赋予明显更高的吞吐量并且是用于

在制造业中构图高级集成电路的主流选择。最小可印刷特征尺寸(分辨率)也已经在

数