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用升压型DCDC做sepic升降压电路经验

摘要：

有很多网友都试验过用升压DCDC做自动升降压sepic电路，都以烧毁器件告终，本文阐述了一种烧毁器件的机理，希望网友门注意。

用TD8208做sepic电路，试图到达如下需求：

输入是带充电器的锂电池电路，有USB外接电源时，自动用外接5V电源，否那么用锂电池电源，故输入电压范围为2.6V-5.2V，其中锂电池供电时电压范围是2.6V-4.2V。

输出为3.3V或4.1V。

sepic电路拓扑：

实际电路：

TD8208(兼容替代型号CE8303/FP6291/MT3608/STI3508/SY7152/SY7208)的典型应用是boost电路，从datasheet中截取如下列图，要修改为满足需求的sepic电路需要将下列图中红叉位置断开，串入一个电容，再对地接一个电感，如上图中的C1和L2.同时需要修改R2。R2为150K时，输出电压为3.5V左右。

试验结果：

当输入电压从2.6V开始上升，步进0.1V，在低于4V时，输出电压一直维持在3.5V，非常稳定，但当电压上升到4V以上时，输入电流立即剧增，假设输入无限流装置芯片立即损坏。

结论是电路末到达设计要求。

原因分析：

比照测试TD8208在标准boot模式下LX端子的波形，发现波形尖峰顶部始终没有超过8V，而在sepic模式下，在输入电压末到达4V左右时就几乎到达8V，且顶部平坦，当电压继续升高时，会继续升高，随即产生很大的输入电流，估计是内部保护动作了。

标准boot模式下LX端子的波形

查阅datashee发现：

TD8208的LX端子电压最大为7V，估计厂家是在内部做了保护，估计是这个保护电压对电路产生了影响。

分析sepic电路结构，发现LX端子电压要比标准boost电路时高。

内部MOS管导通时内部MOS管断开时

可以看到，内部MOS管断开时，LX电压是L1上的电压+L2上的电压，而L2的电压是C1在MOS管导通时充的，故LX端电压根本上是2Vo。做试验时实测输出电压是3.5V时，输入到达4V时，LX端电压早已超过7.5V，从而导致保护。

相对而言，采用较多的LX6009的LX端子输入电压到达60V，故用于sepic是非常适宜的。

电路修改：

寻找内部开关管电压高于Vo+Vs的器件，或者用外置MOS管即可。

上文提到TD8208的兼容替代型号有CE8303/FP6291/MT3608/STI3508/SY7152/SY7208〔pin不完全兼容，请比照datasheet文件〕，各器件的LX端子电压为：

CE8303：6.8V〔输入电压范围0.9-6V，300KHz，1.5A〕

TD8208：7V〔输入电压范围2-6V，1.2MHz，3A〕

FP6291：16V〔输入电压范围2.6-6V，1.2MHz，2A〕

SY7152：16V〔输入电压范围3-8V，1MHz，2A〕

SY7208：26V〔输入电压范围3-25V，1.2MHz，2A〕

MT3608：30V〔输入电压范围2-26V，1.2MHz，4A〕

STI3508：30V〔输入电压范围2-25V，1.2MHz，2A〕

从上表可以看到MT3608比拟适合做sepic。

当然，只要电压适宜，即使FP6291也可以，但需要注意细节，例如FP6291的6脚需要接一个电阻到地调整限流点，而MT3608该脚是空脚；MT3608在轻载时进入PFM模式，否那么进入PWM模式；FP6291的EN脚兼作电压跌落检测输出〔SCP〕，即当输出电压跌落到一定程度时，该脚会有20uA的输入电流，可以用该电流做关断主电源的控制，该功能是该芯片用于标准boost时，当负载短路时，为了保护电感上不至于流过大电流而设计的，假设是做sepic，由于有电容隔离直流，该功能就没有用。

rience@126

修改