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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN1601695A
(43)申请公布日2005.03.30
(21)申请号CN200410009629.9
(22)申请日2004.09.30
(71)申请人北京大学
地址100871北京市海淀区颐和园路5号
(72)发明人杨利张国艳廖怀林周毅刘军华延涛宋睿丰黄如张兴
(74)专利代理机构北京君尚知识产权代理事务所
代理人邵可声
(51)Int.CI
H01L21/02
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
射频平面螺旋集成电感的加工方法
(57)摘要
本发明公开了一种射频平面螺旋集
成电感的加工方法,包括,在制作完的电
感的硅片的正面引出电极引线,并将其整
体用防HF酸腐蚀的绝缘胶带双面密封,
背面的胶带上留有小孔;将制好的电感固
定于腐蚀槽中的硅片支架上,将所述硅片
上的电极引线接腐蚀电路的阳极,用金属
Pt片作腐蚀电路的阴极;向腐蚀槽中加入
HF酸、乙醇和水的混合液,溶液的摩尔比
为HF∶C
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
Claim1、一种射频平面螺旋集成电感的加工方法,包括以下步骤,
1)在制作完的电感的硅片的正面引出电极引线,并将其整体用防HF酸腐蚀的绝缘
胶带双面密封,背面的胶带上留有小孔,即是要腐蚀的区域;
2)将步骤1)中制好的电感固定于腐蚀槽中的硅片支架上,将所述硅片上的电极引线
接腐蚀电路的阳极,用金属Pt片作腐蚀电路的阴极;
3)向腐蚀槽中加入HF酸、乙醇和水的混合液,溶液的摩尔比为
HF∶CSub2/SubHSub5/SubOH∶HSub2/SubO=1∶1∶2;
4)开通腐蚀电路,并使待腐蚀硅片的电流密度保持在5~50mA/cmSup2/Sup范
围内,腐蚀时间3~5小时;
5)将加工后的硅片清洗,去除防酸胶带并临界干燥处理,经测试封装后即可使用。
Claim2、如权利要求1所述的射频平面螺旋集成电感的加工方法,其特征在于,
该方法的步骤4)和5)之间还包括,
硅片腐蚀停止后,将腐蚀液倒出;向腐蚀槽中加入与步骤3)中相同体积的浓度为3%
的HSub2/SubOSub2/Sub,通电10分钟;
倒出HSub2/SubOSub2/Sub,用去离子水冲洗腐蚀槽及硅片与腐蚀槽接触
部分。
Claim3、如权利要求1所述的射频平面螺旋集成电感的加工方法,其特征在于,
所述硅片上的电极引线由所述硅片pSup+/Sup层引出。
Claim4、如权利要求1所述的射频平面螺旋集成电感的加工方法,其特征在于,
所述腐蚀槽由聚四氟乙烯制成。
Claim5、如权利要求1至4中任一权利要求所述的射频平面螺旋集成电感的加工
方法,其特征在于,所述集成电感具体由以下方法值得:
1)清洗用于制造所述集成电感的原始硅衬底;
2)将步骤1)中的硅衬底依次制作高浓度磷掺杂PSup+/Sup层、硅片氧化和淀积
SiSub3/SubNSub4/Sub保护层;
3)将步骤2)处理后的硅衬底再经过淀积SiOSub2/Sub、制备接触孔、溅射金属
制作引线、淀积SiOSub2/Sub介质层、刻蚀通孔、制作电感线圈和连接压焊块,
完成电感的制造。
Claim6、如权利要求5所述的射频平面螺旋集成电感的加工方法,其特征在于,
所述电极引线为铝线。
说明书
技术领域
本发明涉及一种射频平面螺旋集成电感的加工方法。
背景技术
在过去的十多年中,寻呼机、无绳电话、模拟及数字蜂窝电话等个人无线通信系统
以及数字电视、广播得到了迅猛发展,无线通信成为继PC产业之后最重要的产业。
由于集成电路具有体积小、功耗低、成本低
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