原创力文档- 1、本文档共38页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
证券研究报告行业专题报告
跨越带宽增长极限，HBM赋能AI新纪元
HBM专题报告
推荐维持
投资评级：（）
报告日期：2024年06月28日
◼分析师：毛正
◼SAC编号：S1050521120001
◼联系人：张璐
◼SAC编号：S1050123120019
投资要点
AI时代存储新需求催生HBM，海内外供需缺口扩大蓝海广阔
随着人工智能的兴起，对高算力和带宽的需求推动了存储的发展。相较于传统的DRAM，HBM技术采用垂直堆叠DDR芯片
与GPU封装实现高带宽、低延迟和低功耗，突破了传统内存的限制，适应AI时代的新需求。目前全球市场由海力士、三星
和美光主导，中国厂商如武汉新芯、长鑫存储和华为也在积极推进HBM国产化，市场供需缺口仍持续扩大，DRAM涨价周
期叠加AI驱动下，HBM价格预计继续上涨，市场规模预计在2024年达到约70亿美金。
TSV、混合键合、EMC占据产业链价值高地
HBM的生产涉及TSV、凸点制造、堆叠工序。其中，TSV是HBM生产流程中最核心的工艺，也是价值量占比最高的工艺环
节；凸点制造将随着未来间距缩小走向混合键合，是HBM未来的发展趋势；EMC是海力士关键工艺MR-MUF的主要材料，
在堆叠过程中提供保护、导热、绝缘等复合功能。目前国内厂商在三大关键工艺环节正加速追赶，国产替代空间广阔。
给予HBM行业投资评级：推荐
HBM作为AI浪潮下必不可少的存储器件，供需缺口将推动HBM价值量持续攀升。TSV、混合键合、EMC三大关键工艺作为
产业链价值占比较高且具有较好发展前景的环节，预计将率先受益。建议关注HBM相关设备：中微公司、拓荆科技、赛腾
股份；HBM相关材料：雅克科技、联瑞新材、华海诚科；HBM封测：通富微电。
诚信、专业、稳健、高效请阅读最后一页重要免责声明PAGE2
重点关注公司及盈利预测
2024-06-27EPSPE
公司代码名称投资评级
股价
20232024E2025E20232024E2025E
002156.SZ通富微电22.070.110.590.74200.6437.4129.82增持
002409.SZ雅克科技62.471.222.082.8145.7730.0222.25未评级
603283.SH赛腾股份74.613.434.084.7921.7518.2915.58买入
688012.SH中微公司141.432.883.234.0849.1143.7934.66买入
688072.SH拓荆科技125.983.522.974.0965.6942.4830.79买入
文档评论（0）