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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN1561531A
(43)申请公布日2005.01.05
(21)申请号C5
(22)申请日2002.06.18
(71)申请人应用材料有限公司
地址美国加利福尼亚州
(72)发明人K·S·劳Q·尚T·竹原T·元W·R·哈什巴杰D·梅丹
(74)专利代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人赵蓉民
(51)Int.CI
H01J17/04
H01J17/49
H01J9/02
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
具有低K介质层的等离子显示板
(57)摘要
一种包括低k介质层的等离子显示
板。在一个实施例中,该介质层包括掺杂
氟的氧化硅层,例如SiOF层。在另一个实
施例中,该介质层包括层。在某些实施例
中,在该介质层上淀积覆盖层例如SiN或
者SiON。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
1.一种等离子显示板,包括:
其上淀积有第一组平行电极的第一板;
其上淀积有第二组平行电极的第二板,所述第二组平行电极相对于所述第一组平行
电极以直角定向;
所述第一和第二板彼此平行定向,以便形成用放电气体填充的空间;和
用低k介质层覆盖所述各组平行电极中的至少一组。
2.根据权利要求1的等离子显示板,其中所述低k介质层是掺杂卤素的氧化硅层。
3.根据权利要求2的等离子显示板,其中所述掺杂卤素的氧化硅层是掺杂氟的氧化
硅层。
4.根据权利要求3的等离子显示板,其中所述掺杂氟的氧化硅层是用生产气体形成
的,所述生产气体由一种混合物构成,该混合物的成份选自这样一组来源:其包括
氟源、氧源和硅源。
5.根据权利要求3的等离子显示板,其中所述掺杂氟的氧化硅层是SiOF层。
6.根据权利要求5的等离子显示板,其中所述SiOF层具有大约在10至15微米之
间的厚度。
7.根据权利要求1的等离子显示板,其中所述低k介质层具有小于大约4.5的总介
电常数。
8.根据权利要求1的等离子显示板,其中所述低k介质层是用生产气体形成的,所
述生产气体包括硅源,该硅源选自这样一组来源:其包括三甲基硅烷和甲基硅烷及
其混合物。
9.根据权利要求8的等离子显示板,其中所述介质层包括
BlackDiamondsupTM/sup。
10.根据权利要求8的等离子显不板,其中所述介质层具有大约在10至15微米之
间的厚度。
11.根据权利要求9的等离子显示板,其中所述介质层具有小于大约3.5的总介电常
数。
12.根据权利要求1的等离子显示板,进一步包括淀积在所述低k介质层上的覆盖
层。
13.根据权利要求12的等离子显示板,其中所述覆盖层是用硅源和氮源形成的。
14.根据权利要求13的等离子显示板,其中所述覆盖层包含SiN。
15.根据权利要求13的等离子显示板,其中所述覆盖层具有大约10至100纳米的
厚度。
16.根据权利要求13的等离子显示板,其中所述覆盖层是额外地用氧源形成的。
17.根据权利要求16的等离子显示板,其中所述覆盖层包含SiON。
18.根据权利要求16的等离子显示板,其中所述覆盖层具有大约10至1000纳米的
厚度。
19.一种制造等离子显示板的方法,所述方法包括以下步骤:
在处理室中使生产气体流过具有平行电极的玻璃衬底;
给该室施加射频能量以便产生等离子;和
在所述玻璃衬底上淀积低k介质层,其中所述介质层具有低k值。
20.根据权利要求19的方法,其中所述使生产气体流动包括使至少一个氟源、至少
一个硅源和至少一个氧源流动。
21.根据权利要求20的方法,其中所述至少一个氟源选自这样一组氟
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