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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN1731278A
(43)申请公布日2006.02.08
(21)申请号CN200510091072.2
(22)申请日2005.08.05
(71)申请人因芬尼昂技术股份公司
地址德国慕尼黑
(72)发明人S·施瓦兹S·沃尔姆
(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司
代理人程天正
(51)Int.CI
G03F1/14
G03F7/00
H01L21/027
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
极紫外线磁性对比光刻掩模及其制
法
(57)摘要
本发明提供了一种EUV光刻掩
模、其制造方法与其使用方法。本发明的
一较佳实施例包含了一衬底、配置在所述
衬底上的一布拉格反射器、配置在所述布
拉格反射器上的一缓冲层、以及配置在所
述缓冲层上的一吸收层;所述掩模中的材
料具有选择磁性质;在一较佳实施例中,
所述缓冲层是一硬磁材料,而所述吸收层
是一软磁材料。另一较佳实施例则包含了
一种掩模制造方法,其更包含一掩模步
骤。在一较佳实施例中,则利用电子镜显
微镜而显影出掩模在施加磁场中的磁性质
相关型态以检测所述掩模。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
未缴年费专利权终止IPC(主分
类):G03F1/14专利
2023-08-11号:ZL2005100910722申请专利权的终止
日权公告
日
权利要求说明书
1.一种光刻掩模,其包含:
一衬底;
一布拉格反射器,其配置在所述衬底上;
一缓冲层,其配置在所述布拉格反射器上;以及
一吸收层,其配置在所述缓冲层上,其中所述布拉格反射器,所述缓冲层,所述吸
收层与盖层至少其一是一种磁性材料,以增加检测对比度。
2.如权利要求1所述的光刻掩模,其中所述磁性材料是一种硬磁材料。
3.如权利要求2所述的光刻掩模,其中所述硬磁材料是由包含CoFeNi,FeCoCr,
FeCoV,FeCrCo,AlNiCo,CuNiFe,MnAlCo,PtCo,NdFeCo与其组合所组成的
族群中选出。
4.如权利要求1所述的光刻掩模,其中所述磁性材料是一种软磁材料。
5.如权利要求4所述的光刻掩模,其中所述软磁材料是由包含Fe,Ni,Co,Gd,
Dy,Mn,MnBi,FeSi与其组合所组成的族群中选出。
6.如权利要求4所述的光刻掩模,其中所述软磁材料是一合金,所述合金是由包含
FeNi,FeCo,FeAl与其组合所组成的族群中选出。
7.如权利要求6所述的光刻掩模,其中所述FeNi合金包含了不低于20%的镍。
8.一种光刻掩模,其包含:
一衬底;
一布拉格反射器,其具有配置在所述衬底上的第一选择磁性质;
一缓冲层,其具有配置在所述布拉格反射器上的第二选择磁性质;
一吸收层,其具有配置在所述缓冲层上的第三选择磁性质。
9.如权利要求8所述的光刻掩模,其中所述布拉格反射器与所述缓冲层间具有一盖
层,所述盖层具有第四选择磁性质。
10.如权利要求9所述的光刻掩模,其中所述布拉格反射器,所述缓冲层,所述吸
收层与所述盖层中至少其一的所述选择磁性质增加了检测对比度。
11.如权利要求9所述的光刻掩模,其中所述布拉格反射器,所述缓冲层,所述吸
收层与所述盖层中至少其一的所述选择磁性质增加了电子显微镜的检测对比度。
12.如权利要求9所述的光刻掩模,其中所述布
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