TFT液晶面板的物理性质测量方法及TFT液晶面板的物理性质测量装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN101589338A

(43)申请公布日2009.11.25

(21)申请号CN200880003082.8

(22)申请日2008.01.16

(71)申请人东阳特克尼卡株式会社;夏普株式会社

地址日本东京都

(72)发明人井上胜佐佐木邦彦栗原直久米康仁

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司

代理人雒运朴

(51)Int.CI

G02F1/1368

G02F1/13

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

TFT液晶面板的物理性质测量方法

及TFT液晶面板的物理性质测量装置

(57)摘要

本发明提供一种TFT液晶面板的物

理性质测量方法，是TFT液晶面板(4，

400)的物理性质测量方法，其具有：阻抗

设定步骤(步骤S1、步骤S11、步骤S12)，

将所述TFT液晶面板(4，400)的TFT(4A，

400A)的源极(42A，420A)－漏极(43A，

430A)间的阻抗值设定为规定值以下的值；

电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)，对所

述TFT液晶面板(4，400)的液晶层(4B、

400B)施加周期性地变化的电压；物理性质

测量步骤(步骤S3、步骤S4、步骤S14、

步骤S15)，测量在利用所述电压施加步骤

(步骤S2、步骤S13)施加了所述周期性地

变化的电压的所述液晶层(4B、400B)中流

过的过渡电流，测量所述液晶层(4B、

400B)的物理性质。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种TFT液晶面板的物理性质测量方法，是TFT液晶面板(4，400)的物理性质测

量方法，其特征在于，

具有：

阻抗设定步骤(步骤S1、步骤S11、步骤S12)，将所述TFT液晶面板(4，400)中的

TFT(4A，400A)的源极(42A，420A)-漏极(43A，430A)间的阻抗值设定为规定值以

下的值；

电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)，对所述TFT液晶面板(4，400)中的液晶层(4B、

400B)施加周期性地变化的电压；

物理性质测量步骤(步骤S3、步骤S4、步骤S14、步骤S15)，测量在利用所述电压

施加步骤(步骤S2、步骤S13)施加了所述周期性地变化的电压的所述液晶层(4B、

400B)中流过的过渡电流，测量所述液晶层(4B、400B)的物理性质。

2.根据权利要求1所述的TFT液晶面板的物理性质测量方法，其特征在于，在所述

阻抗设定步骤(步骤S1、步骤S11、步骤S12)中，通过对所述TFT(4A，400A)的栅

极电极(41A、410A)施加规定值的电压，而将所述TFT(4A，400A)中的源极(42A，

420A)-漏极(43A，430A)间的阻抗值设定为所述TFT(4A，400A)中的源极(42A，

420A)-漏极(43A，430A)间可以通电的值。

3.根据权利要求2所述的TFT液晶面板的物理性质测量方法，其特征在于，所述液

晶层(4B、400B)中的液晶分子被电场驱动，该电场由利用所述TFT(4A，400A)驱

动的像素电极(4D，400D)、与该像素电极(4D，400D)对应地设置的共用电极(4C、

400C)形成，

在所述电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)中，对所述共用电极(4C、400C)施加三角

波电压作为所述周期性地变化的电压。

4.根据权利要求3所述的TFT液晶面板的物理性质测量方法，其特征在于，所述规

定值的电压是比施加在所述TFT(4A，400A)中的源极电极(42A，420A)及漏极电极

(43，430A)上的电压高的电压