半导体分立器件型号命名方法 编制说明.docx

《半导体分立器件型号命名方法》（征求意见稿）编制说明

一、工作简况

1、任务来源

《半导体分立器件型号命名方法》是国家标准化管理委员会下达的2023年国家标准复审修订计划项目，计划项目批准文号：国标委发【2023】64号，计划代号T-339。由中华人民共和国工业和信息化部（电子）提出，全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归口，主要承办单位：中国电子技术标准化研究院，项目周期为16月。

2、制定背景

半导体分立器件是电子行业产业链中的通用基础产品，为电子系统中的最基本单元，是各种工程中应用较广泛的产品门类之一。

GB/T249-2017《半导体分立器件型号命名方法》是半导体分立器件的型号命名方法，规定了小信号管、混频管、检波管、电压调整管和电压基准管、变容管、整流管、整流堆、隧道管、开关管、低频小功率晶体管、高频小功率晶体管、低频大功率晶体管、高频大功率晶体管、闸流管、体效应管、雪崩管、阶跃恢复管、场效应晶体管、晶体管阵列、肖特基二极管、瞬态抑制二极管等各类分立器件的型号命名方法。

GB/T249规定了各类分立器件的型号命名方法，有效指导了研制单位对器件进行分类和命名，极大的方便了用户对器件的选用。随着半导体分立器件技术的发展，新材料、新结构、新功能的分立器件不断出现，GB/T249-2017已不能满足新型分立器件型号命名的需求。例如，采用碳化硅、氮化镓等宽禁带材料制造的二极管、场效应晶体管已在新能源汽车、轨道交通等领域得到应用；又如，为了便于控制场效应晶体管的工作，部分场效应晶体管将集成电路集成到分立器件内部；再如，静电放电保护器件。

上述各类新型器件缺少型号命名方法，不同单位命名比较混乱，不能体现产品的类型和特点，不利于用户对产品的选择和使用，因此急需对GB/T249进行修订，研究并增加各类新型器件的型号命名方法。

3、工作过程

（1）立项阶段

基于前期研究，完成项目建议书，形成标准草案，向全国半导体器件标准化技术委员会（TC78）提出标准立项申请，于2023年12月28日正式纳入2023年国家标准复审修订计划项目，计划项目代号T-339。

（2）起草阶段

项目立项后，牵头单位广泛征集起草单位，于2024年1月正式成立标准编制工作组，制定标准研制具体实施计划与起草单位标准内容分工任务，推进开展收集和分析相关标准资料等工作。

2024年2月-5月，标准工作组对现有的半导体分立器件型号命名方法进行了分析，对需要补充的命名方法的器件类型进行了研究，组织召开线上讨论会，广泛征求内部参编单位意见，完善标准草案形成标准征求意见稿并编写了编制说明。

4、标准编制的主要成员单位及其所做的工作

本标准的主要承办单位为中国电子技术标准化研究院，主要参与单位包括济南市半导体元件实验所、杭州三海电子科技股份有限公司等半导体分立器件领域的研制单位、用户、检测机构。

二、标准编制原则和确定主要内容的论据及解决的主要问题

1、编制原则

GB/T249-2017《半导体分立器件型号命名方法》是半导体分立器件的型号命名方法，规定了小信号管、混频管、检波管、电压调整管和电压基准管、变容管、整流管、整流堆、隧道管、开关管、低频小功率晶体管、高频小功率晶体管、低频大功率晶体管、高频大功率晶体管、闸流管、体效应管、雪崩管、阶跃恢复管、场效应晶体管、晶体管阵列、肖特基二极管、瞬态抑制二极管等各类分立器件的型号命名方法。GB/T249规定了各类分立器件的型号命名方法，有效指导了研制单位对器件进行分类和命名，极大的方便了用户对器件的选用。

随着半导体分立器件技术的发展，新材料、新结构、新功能的分立器件不断出现，GB/T249-2017已不能满足新型分立器件型号命名的需求。例如，采用碳化硅、氮化镓等宽禁带材料制造的二极管、场效应晶体管已在新能源汽车、轨道交通等领域得到应用；又如，为了便于控制场效应晶体管的工作，部分场效应晶体管将集成电路集成到分立器件内部；再如，静电放电保护器件。

上述各类新型器件缺少型号命名方法，不同单位命名比较混乱，不能体现产品的类型和特点，不利于用户对产品的选择和使用，因此急需对GB/T249进行修订，研究并增加各类新型器件的型号命名方法。

2、主要内容及其确定依据

本次修订将主要增加以下类型器件的型号命名方法：

——氮化镓器件场效应晶体管

——碳化硅二极管

——碳化硅场效应晶体管

——ESD保护器件

——数字晶体管。

3、编制过程中解决的主要问题（做出的贡献）

此次修订，主要解决了氮化镓器件场效应晶体管、碳化硅二极管、碳化硅场效应晶体管、ESD保护器件和数字晶体管缺少型号命名方法要求的问题，为规范上述