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第四讲晶体三极管一、晶体管的结构和符号二、晶体管的放大原理三、晶体管的共射输入、输出特性四、温度对晶体管特性的影响五、主要参数

一、三极管的结构和符号为什么有孔？大功率管中功率管小功率管多子浓度高面积大多子浓度很低，且很薄晶体管有三个极、三个区、两个PN结。

晶体管的连接方式放大电路一般为四端网络，根据公共端的不同，晶体管构成的电路有三种连接方式：ICIEIEICIBICIBICIB（共发射极）（共集电极）（共基极）第二章晶体管及基本放大电路/2.1半导体晶体管3

二、晶体管的放大原理l（一）三个区的特点（以NPN型为例）l1)发射区是掺杂质浓度比集电区大的N型半导体，电子浓度很大；T放大作用的内部条件l2）基区很薄，为掺杂质很少的P型半导体。l3）集电极面积大，保证尽可能多的收集到发射区发射的电子。l（二）载流子运动规律及电流分配关系l当一个NPN型的晶体管接成共射极接法的放大电路时：l发射结正向偏置T放大作用l集电结反向偏置的外部条件

晶体管的放大原理平衡少子漂移运动因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区基区空穴的扩散扩散运动形成发射极电流I，复合运动形成基极电E流I，漂移运动形成集电极电流I。BC

1.发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流I。（发射结加正向电压且杂质E浓度高，所以大量自由电子因扩散运动到达基区：同时空穴也扩散到发射区）2.扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电流I。（基区很薄，杂质B浓度低，集电结又加了反向电压所以到达基区的电子只有极少部分可以与空穴复合）

3.集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流I。（由于集电结加反向电压且C结面积较大，到达基区的自由电子除去参与复合的其余在外电场的作用下越过集电结到达集电区，形成集电极电流IC，同时集电区少子也会在外电场作用下产生漂移，但数量很少，近似分析中可忽略不计）

电流分配：I＝I＋IBCEIE－扩散运动形成的电流IB－复合运动形成的电流IC－漂移运动形成的电流共射交流电流放大系数共射直流电流放大系数穿透电流集电结反向电流

三、晶体管的共射输入特性和输出特性1、输入特性为什么像PN结的伏安特性？为什么U增大曲线右移？CE为什么U增大到一定值曲CE线右移就不明显了？对于小功率晶体管，U大于1V的一条输入特性曲线CE可以取代U大于1V的所有输入特性曲线。CE

2、输出特性对应于一个I就有一条i随u变化的曲线。BCCE饱和区为什么u较小时i随u变CE化很大？为什么进入放大状态CCE曲线几乎是横轴的平行线？放大区截止区β是常数吗？什么是理想三极管？什么情况下?

晶体管的三个工作区域状态UBEICUCE截止放大饱和＜Uon≥Uon≥UonICEOVCCβiB≥uBE＜βiB≤uBE晶体管工作在放大状态时，输出回路电流i几乎仅仅决C定于输入回路电流i；即可将输出回路等效为电流i控制BB的电流源i。C

四、温度对晶体管特性的影响

五、主要参数?直流参数：、、I、ICEOCBO?交流参数：β、α、f（使β＝1的信号频率）T?极限参数：I、P、UCMCM（BR）CEO最大集电极电流c-e间击穿电压最大集电极耗散功率，P＝iuCMCCE安全工作区

讨论一判断电路中二极管的工作状态，U=0.7V，求解D输出电压。判断二极管工作状态的方法？方法：断开二极管，并以它的两个极作为端口，利用戴维南定理求解端口电压；若该电压使二极管正偏则导通，否则截止。

讨论二1.V＝2V、5V、10V时二极管中的直流电流各为多少？2.若输入电压的有效值为5mV，则上述各种情况下二极管中的交流电流各为多少？IDV＝5V时，V=10V时，uD=V-iRQV较小时应实测伏安特性，用图解法求ID。

V＝2V，I≈2.6mADV＝5V，I≈8.6mADV＝10V，I≈20mAD在伏安特性上，Q点越高，二极管的动态电阻越小！

讨论三在放大电路中的晶体管，仅给出三个电极的电压值能否判断出其类型，以及具体的三个电极？例如：3V,2.8V,6V5V,12V,5.7V

讨论四通过u是否大于U判断管子BE是否导通。on临界饱和时的1、分别分析u=0V、5V时T是工作在截止状态还是导通状态；I2、已知T导通时的U＝0.7V，若当u=5V，则β在什么范围内BEIT处于放大状态，在什么范围内T处于饱和状态？

讨论五u=1V时的i就是ICECCM2.7ΔiCU（BR）CEO由图示特性求出P、I、U（BR）CEO、β