半导体器件 分立器件 第4部分：微波二极管和晶体管 征求意见稿.pdf

GB/T20516—××××

半导体器件分立器件

第4部分微波二极管和晶体管

1范围

本文件规定了以下各类分立器件的要求：

——变容二极管（用于电调谐、变频器、谐波倍频器、移相器等）

——阶跃二极管（用于梳状谱发生器、倍频器等）

——混频二极管（用于混频器）

——检波二极管（用于检波器）

——体效应二极管（用于振荡器、放大器等）

——PIN二极管（用于开关、限幅器、移相器、衰减器等）

——噪声二极管（用于固态噪声源等）

——双极型晶体管（用于放大器、振荡器）

——场效应晶体管（用于放大器、振荡器）

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件的必不可少的条款。其中，注日期的引用文

件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用

于本文件。

GB/T4587-2023半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管

GB/T17573-1998国际电子学词汇-702章：振荡器，信号和相关器件

IEC60747-1:2006半导体器件第1部分：总则（Semiconductordevices–Part1:General）

IEC60747-7:2000半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管（Semiconductordevices–

Discretedevices–Part7:Bipolartransistors）

IEC60747-8:2000半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管（Semiconductordevices–

Discretedevices–Part8:Field-effecttransistors）

3变容二极管

3.1概述

1

GB/T20516—××××

本节内容适用于变容二极管。变容二极管是一种结电容随外加偏压变化的可变电抗器件，其变容

特性可实现电子电路频率和相位的改变，即能实现电调谐或倍频目的，主要用于电调谐、变频器、谐

波倍频器、移相器等。

电调谐二极管：用于改变调谐电路频率的二极管，这种二极管通常用比其使用频率高得多的谐振

频率来表征其特性，且具有已知的电容-电压关系。

变频器：用于低次倍频的频率变换，通过将稳态的正弦波电压加到变容二极管上，产生的电流波

形发生畸变，产生高次谐波。

谐波倍频二极管：这种二极管在工作频率下应具有非线性电容-电压关系，且截止频率与工作频率

的比值较高。

移相器：用于电调移相，实现相位连续可调。

3.2术语和文字符号

见3.3.3。

3.3基本额定值和特性

3.3.1额定条件

变容二极管可按环境额定条件或管壳额定条件，或适用时两者来规定。

在3.3.2中列出的额定值应在下列温度下给出：

——器件环境额定条件：环境温度25℃和一个更高的温度。

——器件管壳额定条件：基准点温度25℃和一个更高的基准点温度。

3.3.2额定值（极限值）

应规定下列额定值。

3.3.2.1温度

——工作温度范围；

——贮存温度范围。

3.3.2.2电压（V）和电流（I）

FR

——最大峰值反向电压；

——最大平均正向电流（适用时）；

——最大峰值正向电流（适用时）。

3.3.2.3耗散功率

在工作温度范围内和规定条件下的最大耗散功率。

3.3.3电特性

除另有规定外，应规定25℃下的下列特性。

2

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3.3.3.1分布电容（Cp）

规定条件下的典型值。

3.3.3.2串联电感（Ls）

规定条件下的典型值和最大值（适用时