水质评价方法、用该方法的超纯水评价装置及制造系统.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN1987457A

(43)申请公布日2007.06.27

(21)申请号CN200610168085.X

(22)申请日2006.12.18

(71)申请人栗田工业株式会社

地址日本东京都

(72)发明人小林秀树森田博志

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司

代理人苗堃

(51)Int.CI

G01N33/18

H01L21/66

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

水质评价方法、用该方法的超纯水

评价装置及制造系统

(57)摘要

本发明提供水质评价方法、使用该

水质评价方法的超纯水评价装置以及备有

该超纯水评价装置的超纯水制造系统，所

述水质评价方法以对硅物质的影响度作为

指标、简易且高灵敏度地对作为制造半导

体或液晶用的洗涤水而使用的超纯水的腐

蚀性进行评价。使超纯水制造装置制造的

超纯水等试样水与硅物质接触，测定与该

硅物质接触后的试样水的溶解氢浓度，算

出相对于与该硅物质接触前的上述试样水

的溶解氢浓度的提高部分，基于该溶解氢

浓度的提高部分，判断所述试样水是否具

有腐蚀硅表面的性质。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种水质评价方法，其特征在于，使试样水与硅物质接触，测定与该硅物质接触

后的试样水中含有的溶解氢浓度，基于通过与该硅物质接触而提高的所述溶解氢浓

度，对试样水的水质进行评价。

2.根据权利要求1所述的水质评价方法，其特征在于，作为所述硅物质，使用硅的

单晶体或者硅的多晶体。

3.根据权利要求1或2中的任一项所述的水质评价方法，其特征在于，与硅物质接

触的试样水是超纯水。

4.一种超纯水评价装置，其用于权利要求1～3中的任一项所述的水质评价方法中，

其特征在于，备有具有试样水通水口和试样水排出口且在内部装填硅物质的接触容

器、和测定从该排出口排出的试样水中的溶解氢浓度的溶解氢测定装置。

5.一种制造超纯水的系统，其特征在于，其是由超纯水制造装置、超纯水的使用点、

以及从超纯水制造装置到使用点的超纯水输送配管及从使用点开始的超纯水返回配

管构成的，在所述超纯水制造装置的最终出口、所述超纯水输送配管或者所述超纯

水返回配管的任意的位置上，设置权利要求4所述的超纯水评价装置。

说明书

技术领域

本发明涉及水质评价方法。更具体地说，特别是涉及：关于作为制造半导体或液晶

用的洗涤水而使用的超纯水的腐蚀性等的水质，以对硅物质的影响度作为指标、简

易且高灵敏度地进行评价的水质评价方法；使用该方法的超纯水评价装置以及超纯

水制造系统。

背景技术

用于制造半导体或液晶用的超纯水，稳定地供给杂质浓度极低的水是必需的。因此，

取出试样水，使用高灵敏度的分析装置测定杂质浓度，以确认水质。

以往，在超纯水制造装置的出口等设置能够用电气方法测定·指标化超纯水中的杂

质的项目、或者能够直接分析杂质的水质监控器，从而进行水质监测。例如，一直

使用电阻率计(比电阻计)、TOC计、二氧化硅计等测量仪器。但是，为了正确测定

像最近的超纯水那样的杂质浓度极低的水中所含杂质的浓度，以往的水质监控器是

不够的，必须通过采取试样进行高灵敏度分析。例如，有必要对Na或Fe等金属

元素的1ppt的极低浓度进行测定，由于与此能够对应的水质监控器不存在，所以

必须取样进行高灵敏度分析。

另一方面，根据超纯水的制造方法，在其制造工序中，有从离子交换树脂或分离膜

溶出的胺类混入的情况。已知使用该混入有胺类的超纯水洗涤硅晶片时，在冲洗工

序中发生不希望的腐蚀作用。以往，为了确认该腐蚀作用，例如采取将硅晶片浸泡

于作为评价对象的超纯水中之后，用扫描型电子显微镜观察其表面的方法。但是，