沉积低介电常数膜的方法.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN1698188A

(43)申请公布日2005.11.16

(21)申请号CN200480000214.3

(22)申请日2004.01.29

(71)申请人应用材料公司

地址美国加利福尼亚州

(72)发明人弗雷德里克·加伊拉德斯里尼瓦斯D··内马尼

(74)专利代理机构北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

代理人肖善强

(51)Int.CI

H01L21/316

H01L21/31

H01L21/768

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

沉积低介电常数膜的方法

(57)摘要

本发明公开了一种沉积低介电常数

膜的方法。该低介电常数膜包括至少一个

硅碳氧化物层和至少一个基本不含硅的、

包含碳和氢的层。这些层是由包含有机硅

化合物和不含硅的基于烃的化合物的气体

混和物沉积而成的。低介电常数膜是通过

包含射频脉冲的等离子工艺沉积的。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种沉积具有低于2.5的介电常数的膜的方法，包括：

在射频功率存在的条件下，从包括一种或多种有机硅化合物和一种或多种不含硅的

基于烃的化合物的气体混和物沉积出硅碳氧化物层；以及

在不存在射频功率的条件下，从所述气体混和物沉积出包含碳和氢的、基本不含硅

的层。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述一种或多种有机硅化合物包括有机硅烷，且

所述气体混和物还包括氧化气体。

3.如权利要求2所述方法，其中所述有机硅烷选自如下化合物组成的组：甲基硅烷，

二甲基硅烷，三甲基硅烷，乙基硅烷，二硅烷基甲烷，二(甲基硅烷基)甲烷，1，2-

二硅烷基乙烷，1，2-二(甲基硅烷基)乙烷，2，2-二硅烷基丙烷，二乙基硅烷，丙

基硅烷，乙烯基甲基硅烷，1，1，2，2-四甲基乙硅烷，六甲基乙硅烷，1，1，2，

2，3，3-六甲基丙硅烷，1，1，2，3，3-五甲基丙硅烷，二甲基二硅烷基乙烷，二

甲基二硅烷基丙烷，四甲基二硅烷基乙烷，四甲基二硅烷基丙烷，1，3，5-三硅烷

基-2，4，6-三甲撑，以及它们的组合。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述一种或多种有机硅化合物包括含氧有机硅化

合物。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述含氧有机硅化合物选自下列化合物组成的组：

二甲基二甲氧基硅烷，1，3-二甲基二甲硅醚，1，1，3，3-四甲基二甲硅醚，六甲

基二甲硅醚，1，3-二(硅烷基亚甲基)二甲硅醚，二(1-甲基二甲硅醚基)甲烷，2，2-

二(1-甲基二甲硅醚基)丙烷，六甲氧基二甲硅醚，1，3，5，7-四甲基环四硅氧烷，

八甲基环四硅氧烷，1，3，5，7，9-五甲基环五硅氧烷，1，3，5，7-四硅烷基-2，

6-二氧-4，8-二甲撑，六甲基环三硅氧烷，十甲基环五硅氧烷，以及它们的组合。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述一种或多种不含硅的基于烃的化合物包括具

有10个或更多个碳的线性化合物。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述一种或多种有机硅化合物是十甲基环五硅氧

烷，且一种或多种不含硅的基于烃的化合物是聚乙二醇。

8.如权利要求1所述方法，其中所述射频功率在约50W到约1000W。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述射频功率的占空因数为约10％到约90％。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述射频功率的频率为约13.56MHz到约

60MHz。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述反应和沉积步骤被重复执行以形成期望厚

度的膜。

12.一种沉积具有低于2.5的介电常数的膜的方法，包括：

在射频功率存在的条件下，从包括一种或多种有机硅化合物和一种或多种不含硅的

基于烃的化合物的气体混和物沉积出多孔的硅碳氧化物层；以及

在不存在射频功率时，在以下的条件下，从所述气体混和物沉积出包含