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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN101825656A
(43)申请公布日2010.09.08
(21)申请号CN200910247900.5
(22)申请日2009.12.31
(71)申请人上海亨通光电科技有限公司
地址200436上海市江场西路555号
(72)发明人文雁平
(74)专利代理机构上海申蒙商标专利代理有限公司
代理人徐小蓉
(51)Int.CI
G01R19/25
G01K7/00
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
铌酸锂光学调制器的半波电压快速
测试方法
(57)摘要
本发明涉及集成光学器件的性能测
试领域,具体指的是一种基于FPGA的快
速测试铌酸锂光学调制器的半波电压测试
方法。该方法用四态调制方式来快速跟踪
铌酸锂光学调制器半波电压的变化,可以
测试铌酸锂光学调制器在整个温度变化范
围内的半波电压值并记录相对应的温度变
化曲线,其优点是:瞬间内找到精确的半
波电压值,其精度达到10
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
1.一种铌酸锂光学调制器的半波电压快速测试方法,涉及的测试系统包括一SLD
光源,SLD光源把光信号通过一耦合器送到被测铌酸锂光学调制器,铌酸锂光学
调制器的输出分支连接到光纤环形干涉仪中,耦合器同时把由铌酸锂光学调制器回
来的光引向光探测器,把光信号变成电信号,再经过前级放大滤波电路、A/D转换
芯片,由FPGA芯片将信号进行解调,最后经过主D/A转换芯片、后放电路放大
后形成调制信号接入铌酸锂光学调制器输入端,构成闭环回路,其特征在于该方法
通过铌酸锂光学调制器对光纤环形干涉仪进行四态调制;在FPGA芯片将A/D转
换芯片送达的信号进行解调时,将相隔半周期的两个采样值相减即得出测试系统的
增益误差量,FPGA芯片对所述增益误差量进行多次积分后传送给一辅助D/A转换
芯片,再送达主D/A转换芯片来改变主D/A转换芯片的调制增益,以通过产生相
应的增益闭环方式来补偿铌酸锂光学调制器由于温度变化所产生的半波电压变化,
实现温度变化时铌酸锂光学调制器半波电压的快速自动跟踪。
2.如权利要求1所述的一种铌酸锂光学调制器的半波电压快速测试方法,其特征在
于该方法还增设一温度芯片和被测的铌酸锂光学调制器一起放到测试环境中,所述
温度芯片将实时的温度值传给FPGA芯片,FPGA芯片将同步采集的半波电压和温
度数据,通过RS485的方式传送到上位机。
说明书
技术领域
本发明涉及集成光学器件的性能测试领域,具体指的是一种基于FPGA的快速测
试铌酸锂光学调制器的半波电压测试方法。
背景技术
铌酸锂光学调制器又称铌酸锂集成光波导,是利用电光晶体的Pockels效应,通过
外加电场改变波导的折射率来实现相位调制。半波电压表征调制器的相位调制能力,
是铌酸锂光学调制器最重要的性能指标之一。但由于温度的变化,半波电压值会随
之漂移,进而导致电压相位比产生变化。而一般使用铌酸锂光学调制器的场合总会
发生一些温度的变化,有效地测试整个温度范围内的温度变化曲线变得十分必要。
通常铌酸锂集成光波导生产方只给出常温下的半波电压值和波形斜率,这只是一条
拟合曲线,实际的温度变化下的半波电压变化波形能更好地了解器件各温度点的性
能。且传统的锯齿波调制和π/2调制的方式采用对2π复位时产生的误差信号进行
积分来精确地找到当前的半波电压值,这样需要一个较长的积分过程,且容易受到
其他闭环的干扰。
发明内容
本发明的目的是根据上述现有技术的不足之处,提供一种铌酸锂光学调制器的半波
电压快速测试方法,该方法可以测试全温度条件下的半波电压变化曲线,能够提供
较大的半
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