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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN101877244A
(43)申请公布日2010.11.03
(21)申请号CN200910173956.0
(22)申请日2009.09.24
(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司
地址中国台湾新竹
(72)发明人洪至伟谢佳达陈昆仑
(74)专利代理机构北京市德恒律师事务所
代理人马佑平
(51)Int.CI
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
非易失性现场可编程门阵列
(57)摘要
一种非易失性存储器,包括连接到
位线和字线上的第一互补金属氧化物半导
体(CMOS)器件以及连接到第一CMOS器
件上的第二CMOS器件。第二CMOS器件
还连接到互补位线与互补字线上。第一
CMOS器件和第二CMOS器件互相互补。
输出节点连接在所述第一CMOS器件和所
述第二CMOS器件之间。一种编程NV-
FPGA的方法包括:连接信息处理系统到
FPGA上,对FPGA中的多个存储单元执
行块擦除,校验所述块擦除成功,对所述
FPGA的上页进行编程,校验所述上页编
程成功,对所述FPGA的下页进行编程,
以及校验所述下页编程成功。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
1.一种非易失性存储器,包括:
连接到位线和字线上的第一互补金属氧化物半导体(CMOS)器件;
连接到所述第一CMOS器件、互补位线与互补字线上的第二CMOS器件,其中所
述第一CMOS器件和所述第二CMOS器件互相互补;以及
连接在所述第一CMOS器件和所述第二CMOS器件之间的输出节点。
2.如权利要求1所述的存储器,还包括:
连接到所述输出节点的复位开关,其位于所述输出节点与电源地之间。
3.如权利要求1所述的存储器,其中所述输出节点记录0或1的数字数据值,并且
其中所述0值为基本上0伏,以及所述1值为基本上1.45伏。
4.如权利要求1所述的存储器,还包括:
连接到所述输出节点的一个或多个路由传输门,其中所述一个或多个路由传输门利
用大约0.9伏的路由控制信号工作。
5.如权利要求1所述的存储器,其中由于所述存储器的上拉配置,提供数字数值1
到所述输出节点,并且由于所述存储器的下拉配置,提供数字数值0到所述输出节
点,其中所述数字数值1通过编程所述第二CMOS器件获得,并且所述数字数值0
通过编程所述第一CMOS器件获得。
6.一种编程非易失性现场可编程门阵列NV-FPGA的方法,所述方法包括:
对所述NV-FPGA中的多个存储单元执行块擦除;
校验所述块擦除成功;
对所述多个存储单元的至少一个的上页进行编程;
校验所述上页编程成功;
对所述多个存储单元的至少一个的下页进行编程;以及
校验所述下页编程成功。
7.如权利要求6所述的方法,其中对所述多个存储单元的至少一个的上页进行编程
使用Fowler-Nordheim编程执行;
其中对所述多个存储单元的至少一个的下页进行编程使用Fowler-Nordheim编程执
行。
8.如权利要求6所述的方法,其中执行所述多个存储单元的块擦除包括:
将一个或多个p阱和/或深n阱区域连接到正电压电源上;
将所述存储单元的一个或多个字线接地;以及
漂浮所述存储单元的一个或多个位线。
9.如权利要求6所述的方法,其中以Fowler-Nordeim方式执行所述多个存储单元的
块擦除包括:
将一个或多个字线连接到负电压电源上;以及
将一个或多个位线、p阱区域和/或深n阱区域接地。
10.如权利要求6所述的方法,还包括:
在所述NV-FPGA上执行泄漏检查,以检查所述NV-FPGA内部的泄漏电流。
11.一种包括现场可编程门阵列的集成电
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