高分子薄膜与无机晶体涂层复合材料及其制备方法.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN1706882A

(43)申请公布日2005.12.14

(21)申请号CN200410025135.X

(22)申请日2004.06.11

(71)申请人中国科学院上海应用物理研究所

地址201800上海市嘉定区嘉罗公路2019号

(72)发明人侯铮迟张凤英谢雷东虞鸣李晶

(74)专利代理机构上海智信专利代理有限公司

代理人薛琦

(51)Int.CI

C08J7/06

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

高分子薄膜与无机晶体涂层复合材

料及其制备方法

(57)摘要

本发明公开了一种高分子薄膜与无

机晶体涂层复合材料的制备方法，其特征

在于其制备方法如下：1)将高分子薄膜浸

入含2％～6％的丙烯酸羟丙酯、甲基丙烯

酸或丙烯酸的水溶液或丙酮溶液中，用钴

源辐照，辐照剂量为8～22KGy，剂量率

为0.14～0.38Gy/s，2)将按步骤1)得到的接

枝高分子薄膜浸入含0.2wt‰～0.4wt‰的

聚丙烯酸、聚乙二醇或聚谷氨酸的无机过

饱和溶液中，在8～15℃条件下静置6～10

天，即得本复合材料。本发明也公开了由

此方法制得的复合材料。本发明具有方法

简单、污染小、对基材品种选择限制性小

等优点。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1、一种高分子薄膜与无机晶体涂层复合材料的制备方法，其特征在于其制备方法

如下：

1)将高分子薄膜浸入含2％～6％的丙烯酸羟丙酯、甲基丙烯酸或丙烯酸的水溶液

或丙酮溶液中，并用钴源辐照，辐照剂量为8～22KGy，剂量率为0.14～0.38Gy/s

2)将按步骤1)得到的接枝高分子薄膜浸入含0.2wt‰～0.4wt‰的聚丙烯酸、聚乙二

醇或聚谷氨酸的无机过饱和溶液中，在8～15℃条件下静置6～10天，即得本复合

材料。

2、根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于该高分子薄膜为聚乙烯薄膜。

3、根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于该无机过饱和溶液为

Ca(HCOsub3/sub)sub2/sub过饱和溶液或模拟体液。

4、根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于步骤1)中丙烯酸羟丙酯的含量为

4％～6％，辐照剂量为18～22KGy，剂量率为0.31～0.38Gy/s。

5、根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于步骤1)中甲基丙烯酸的含量为

2～3％，辐照剂量为10～12KGy，剂量率为0.17～0.22Gy/s。

6、根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于步骤1)丙稀酸的含量为4～6％，

辐照剂量为8～10Kgy，剂量率为0.14～0.17Gy/s。

7、根据权利要求1～6任一权利要求所述的制备方法制得的高分子薄膜与无机晶体

涂层复合材料。

说明书

u技术领域/u

本发明涉及辐射化学与无机合成领域，特别涉及一种高分子薄膜与无机晶体涂层复

合材料及其制备方法。

u背景技术/u

天然生物矿化材料的形成过程中，无机相的结晶生长严格受生物体分泌的有机质控

制，因此往往表现出其特有的结构和优异性能。生物矿化现象的发现给不断追求制

造新型材料的人类带来灵感和启发，近年来，越来越多的研究都涉及利用生物矿化

原理在高分子薄膜表面上生长无机晶体，其中一种典型方法是使高分子表面形成功

能性基团，再将其浸入无机过饱和溶液，使无机矿物在功能化的表面上发生异相成

核和生长。此过程使矿物晶体涂层在一步过程中得以形成，不需要后续的热处理

(如烧结热压等)就可以获得致密的结晶。与传统的共价键结合方式进行的化学合成

相比，该方法主要是利用原子间的非共价键作用，如氢键、范德华力等，通过分子

识别和分子自组装的方式来制备