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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN101090598A
(43)申请公布日2007.12.19
(21)申请号CN200710109175.6
(22)申请日2007.06.14
(71)申请人东京毅力科创株式会社
地址日本东京都
(72)发明人堀口贵弘
(74)专利代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人龙淳
(51)Int.CI
H05H1/46
H01L21/02
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
等离子体处理装置和等离子体处理
方法
(57)摘要
本发明涉及微波等离子体处理装
置,利用波长可变物质,使波导管长度最
优。微波等离子体处理装置(100)包括波导
管(30)、有多个槽缝(31)的槽缝天线(32)、
多个电介体(33)和处理室(U)。微波依次在
波导管(30)、槽缝(31)、电介体(33)传播,
供给到处理室(U),使气体等离子体化,处
理基板(G)。在波导管(30)内端面(C)附近填
充氧化铝(50)及特氟隆(35)。由于管内波长
(λg)在氧化铝(50)中比特氟隆(35)中短,当
微波在波导管(30)中传播时,与只填充特
氟隆(35)相比,从波导管(30)端面(C)至最
短槽缝中央间的物理特性上的长度保持为
λg/4,并能缩短其间的机械长度。结果,
没有波导管端部的死空间(D),能够等间隔
配置电介体(33)。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
1.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:
传播微波的波导管;
具有与所述波导管邻接的多个槽缝,使在所述波导管中传播的微波通向所述多个槽
缝的槽缝天线;
第一波长可变物质,填充在所述波导管内部并使微波的管内波长λg变化为第一波
长;
第二波长可变物质,代替所述第一波长可变物质插入从反射微波的所述波导管的端
面至最接近该端面的槽缝中央之间,使在该插入部分中传播的微波的管内波长λg
变化为比第一波长短的第二波长;
多个电介体,与所述槽缝天线邻接配置并使通向所述槽缝天线的多个槽缝的微波透
过;和
处理室,利用透过所述多个电介体后的微波使气体等离子体化,对被处理体进行等
离子体处理。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述第二波长可变物质通过使在所述插入部分中传播的微波的管内波长λg变化为
比第一波长短的第二波长,将从所述波导管端面至最接近该端面的槽缝中央之间的
物理特性上的长度保持为管内波长λg的1/4,并将其间的波导管的机械长度缩短至
所希望的长度。
3.如权利要求1或2中任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述波导管具有多个,
各波导管在其端面与其他任意波导管的端面相对配置。
4.如权利要求1~3中任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述第二波长可变物质和所述第一波长可变物质为电介体,
所述第二波长可变物质具有比所述第一波长可变物质高的介电常数。
5.如权利要求1~4中任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:
通过将所述第二波长可变物质插入所述波导管中,使所述多个电介体互相等间隔地
配置。
6.如权利要求3~5中任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述各波导管与在和其长边方向平行的轴上并排的20个以内的槽缝邻接,
所述槽缝和槽缝的物理特性上的间隔为管内波长λg的1/2。
7.如权利要求1~6中任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:
在所述多个电介体上,在与被处理体相对的面上形成凹部或凸部的至少任意一个。
8.如权利要求1~7中任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:
被处理体为730mm×920mm以上。
9.一种等离子体处理方法,使用等离子体处理装置对被处理体进行等离子体处理,
该等离子体处理装置包括在内部填充有第
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