超薄晶片加工处理的方法及薄晶片加工处理的产品.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN101958255A

(43)申请公布日2011.01.26

(21)申请号CN201010143185.3

(22)申请日2010.03.29

(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司

地址中国台湾新竹市

(72)发明人杨固峰吴文进邱文智王宗鼎

(74)专利代理机构隆天国际知识产权代理有限公司

代理人姜燕

(51)Int.CI

H01L21/50

H01L21/68

H01L21/78

H01L25/00

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

超薄晶片加工处理的方法及薄晶片

加工处理的产品

(57)摘要

本发明公开了一种超薄晶片加工处

理的方法及薄晶片加工处理的产品，该方

法包括下列步骤：提供一晶片，其具有多

个半导体芯片，该晶片具有一第一侧以及

一第二侧；使多个裸晶附着于该晶片的该

第一侧，其中所述多个裸晶的其中之一接

合于所述多个半导体芯片的其中之一；提

供一晶片载盘，该晶片载盘附着于该晶片

的该第二侧；以一平面支持层封装该晶片

的该第一侧以及所述多个裸晶；使一第一

粘着带附着于该平面支持层。本发明可得

到较高的合格率以及较低的损坏率。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种超薄晶片加工处理的方法，其特征在于包括下列步骤：

提供一晶片，其具有多个半导体芯片，该晶片具有一第一侧以及一第二侧；

使多个裸晶附着于该晶片的该第一侧，其中所述多个裸晶的其中之一接合于所述多

个半导体芯片的其中之一；

提供一晶片载盘，该晶片载盘附着于该晶片的该第二侧；

以一平面支持层封装该晶片的该第一侧以及所述多个裸晶；以及

使一第一粘着带附着于该平面支持层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于该晶片载盘包括一硅基材、玻璃基材、高

分子基材、高分子基复合基材或厚带。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于借由从包含粘着接合、卷带接合以及树脂

接合的群组中选择一种方法，使该晶片载盘附着于该晶片的该第二侧。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于借由从包含裸晶接合、锡焊凸块、氧化层

对氧化层接合、氧化层对硅接合、铜对铜接合、粘着剂接合、由氧化层对氧化层接

合的融熔接合以及胶质接合，例如苯并环丁烯的群组中选择一种方法，使所述多个

裸晶附着于该晶片的该第一侧。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于该支持层包括聚乙二醇、蜡、高分子、或

高分子基材料。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于以该平面支持层封装该晶片的该第一侧以

及所述多个裸晶的方式包括旋转涂布或印刷。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于该第一粘着带包括一切割带或一紫外线带。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于还包括下列步骤：

将该晶片载盘从该晶片移除；以及

将该晶片切割成个别的半导体封装。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于还包括下列步骤：

将一第二粘着带附着于该晶片的该第二侧；

移除该第一粘着带；

移除该平面支持层；以及

移除该第二粘着带。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于该第二粘着带包括一切割带或一紫外线

带。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于还包括下列步骤：

将该晶片载盘从该晶片移除；以及

将一第二粘着带附着于该晶片的该第二侧。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于该第二粘着带包括一切割带或一紫外线

带。

13.如权利要求11所述的方法，其特征在于还包括下列步骤：

移除该第一粘着带；

移除该平面支持层；以及

将该晶片切割成个别的半导体封装。

14.一种薄晶片加工处理的产品，该产品由权利要求8所述的方法制造。

15.一种薄晶片加工处理的产品，该产品由权利要求13所述的方法制造。