【精品课件】结型场效应管.pptx

第四章

场效应管放大电路;半导体三极管：

又称晶体管、双极性三极管，是组成各种电子电路的核心器件。

结构、类型：NPN型、PNP型

放大机理：内部结构、外部条件

特性曲线：输入特性、输出特性

单级放大电路：

工作原理

三种组态

静态分析

动态分析

多级放大电路：

频率特性：;引言二;场效应晶体管(FET)是利用电压产生的电场效应来控制电流的一种半导体器件。它与晶体管相比有以下重要特点：

(1)它是一种电压控制器件。

工作时，管子的输入电流几乎为0，因此具有极高的输入电阻(约数百兆欧以上)。

(2)输出电流仅由多子运动而形成，故称单极型器件。

它的抗温度和抗辐射能力强，工作较稳定。

(3)制造工艺比较简单，便于大规模集成，且噪声较小。

(4)类型较多，使电路设计灵活性增大。;根据结构的不同，场效应管可分为两大类：结型场效应管(JFET)和金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)。;第四章场效应管放大电路;4.1结型场效应管;;;源极，用S或s表示;;N沟道和P沟道结型场效应管符号上的区别，在于栅极的箭头方向不同，但都要由P区指向N区。;以N型沟道JFET为例进行分析，研究JFET的工作原理————输入电压对输出电流的控制作用。;JFET工作原理

（动画2-9);①VGS对沟道的控制作用;②漏源电压VDS对iD的影响;③VGS和VDS同时作用时;IDSS;可变电阻区;;夹断区;当漏、源之间电压UDS保持不变时，漏极电流ID和栅、源之间电压UGS的关系称为转移特性。

即它描述了栅、源之间的电压UGS对漏极电流ID的控制作用。

UGS=0时，ID=IDSS漏极电流最大，

称为饱合漏极电流IDSS。

|UGS|增大，ID减小，当UGS=–Up时

ID=0。Up称为夹断电压。

结型场效应管的转移特性在

UGS=0～Up范围内可近似公式表示：;3.根据输出特性曲线做出转移特性曲线;结型场效应管的特性小结;结型场效应管的缺点：