采用纳米级半导体材料为基底进行SERS检测的方法.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN1865936A

(43)申请公布日2006.11.22

(21)申请号CN200610016841.7

(22)申请日2006.05.10

(71)申请人吉林大学

地址130023吉林省长春市朝阳区前进大街2699号

(72)发明人赵冰徐蔚青赵纯王延飞孙志华王蕴馨胡海龙

(74)专利代理机构长春吉大专利代理有限责任公司

代理人张景林

(51)Int.CI

G01N21/65

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

采用纳米级半导体材料为基底进行

SERS检测的方法

(57)摘要

本发明属于分子识别技术领域，具

体涉及采用纳米级半导体材料作为表面增

强拉曼散射基底，进而进行SERS测试的

新方法。包括半导体纳米材料的表面功能

化和检测修饰到半导体表面的探针分子

SERS信号两部分。SERS信号经历显著的

增强，其增强因子可达10

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1、采用纳米级半导体材料为基底进行SERS检测的方法，包括表面修饰探针分子

的纳米半导体的制备和采用半导体纳米材料作为基底进行SERS测试两个步骤，其

特征在于：在100ml的纯净水中加入0.02～1.0g的探针分子，通氮气，剧烈搅拌至

完全溶解，加入1～10ml、0.1M的Zn、Pb或Cd金属盐的去离子水溶液，2～10h

后再加入0.5～5.0ml、0.1M的含有Ssup2-/sup的去离子水溶液，继续搅拌6～

24h后，离心水洗，即得探针分子修饰的ZnS或CdS粒子的溶胶或粉体及PbS粉

末，进而采用拉曼谱仪以半导体材料为基底进行SERS检测，检测吸附到纳米半导

体表面的SERS信号比体相分子拉曼信号明显增强，增强因子达到

10sup2/sup～10sup4/sup。

2、如权利要求1所述的采用纳米级半导体材料为基底进行SERS检测的方法，其

特征在于：Zn、Pb或Cd金属盐为硝酸盐或醋酸盐。

3、如权利要求1所述的采用纳米级半导体材料为基底进行SERS检测的方法，其

特征在于：探针分子为巯基吡啶、对氨基苯硫酚、吡啶、巯基苯甲酸、1，4-2[2-

(4-吡啶基)乙烯基]-苯、2-2联吡啶或4-4联吡啶。

4、如权利要求1所述的采用纳米级半导体材料为基底进行SERS检测的方法，其

特征在于：含有Ssup2-/sup的去离子水溶液为Nasub2/subS或

Ksub2/subS的去离子水溶液。

5、采用纳米级半导体材料为基底进行SERS检测的方法，包括表面修饰探针分子

的纳米半导体的制备和采用半导体纳米材料作为基底进行SERS测试两个步骤，其

特征在于：先制备纳米级半导体材料，然后将制备出来的纳米半导体纳米粒子加入

1×10sup-9/sup～1×10sup-3/supM探针分子的水溶液或甲醇溶液中，剧烈

搅拌，室温避光反应12～24h，用与前面相同的水溶液或甲醇溶剂多次清洗，离心

除去未吸附的探针分子，即得表面功能化的半导体纳米粒子；或将制备出的半导体

膜直接加入1×10sup-9/sup～1×10sup-3/supM探针分子的水溶液或甲醇溶

液中，室温避光12～24h，用与前面相同的水溶液或甲醇溶剂多次清洗，即得表面

功能化的半导体纳米膜；或将制备出的半导体溶胶直接加入1×10sup-9/sup～

1×10sup-3/supM探针分子的水溶液或甲醇溶液；进而采用拉曼谱仪以半导体

材料为基底进行SERS检测，检测吸附到纳米半导体表面的SERS信号比体相分子

拉曼信号明显增强，增强因子达到10sup2/sup～10sup4/sup。

6、如权利要求5所述的采用纳米级半导体材料为基底进行SERS