2.5 功率半导体器件性能对比.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.32千字
约 19页
2024-07-05 发布于山西
举报
版权申诉

2.5 功率半导体器件性能对比.pdf

1、本文档共19页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

功率半导体器件性能对比

CONTENTS01半导体器件汇总

02工作性能分析比较

03宽禁带半导体器件

04小结

PART

ONE

半导体器件汇总

Introduction

常用功率半导体器件汇总

电力二极管电力晶体管晶闸管

门极可关断晶闸管电力场效应晶体管绝缘栅双极型晶体管

GTOP-MOSFETIGBT

PART

TWO

工作性能分析比较

Performanceanalysisandcomparison

电力电子电路对功率器件的性能需求

电力二极管

电力晶体管

晶闸管

GTO

P-MOSFET

IGBT

PART

THREE

宽禁带半导体器件

Widebandgapsemiconductordevice

硅基功率半导体器件极限

DiodeBJT

SCRGTO

MOSFETIGBT

什么是宽禁带半导体材料

不同能带之间的间隙称为禁带或带隙

（EnergyGap或BandGap）

硅的禁带宽度为1.12eV（电子伏特）

宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV

及以上的半导体材料

典型的宽禁带半导体材料有碳化硅（SiC）

、氮化镓（GaN）、金刚石等材料。

宽禁带半导体器件的优势

PART

FOUR

小结

Summary

硅基功率半导体器件各有所长，应灵活选用。

硅基功率半导体的性能已趋于极限。

采用宽禁带材料是功率半导体的发展趋势。

谢谢！

您可能关注的文档

文档评论（0）

达芬奇 + 关注: 实名认证

文档贡献者

免责声明：本账号发布文档均来源于互联网公开资料,仅用于技术分享交流，不得从事商业活动，相关版权为原作者所有。如果侵犯了您的相关权利,请提出指正,我们将立即删除相关资料。

咨询Ta 进入空间

1亿VIP精品文档

更多 >

2.5 功率半导体器件性能对比.pdfVIP