半导体三极管、二极管和MOS管.docx

一、半导体的根本学问

〔一〕PN结的形成

通过肯定的工艺，在同一个半导体硅片上形成两个相互接触的P型区和N型区，它们的交界面处则形成PN结。

P型半导体的多数载流子是空穴，N型半导体的多数载流子是自由电子，由于两者浓度差异而引起的载流子定向运动称为集中。交界面两侧的多子集中到对方后很快复合而消失，在交界面处留下不能移动的离子—空间电荷，这一区域称为空间电荷区，又称为耗尽层，如图l所示。由于空问电荷区的消灭．正负电荷形成一个内电场．它将阻挡多子连续集中，同时又促使少子漂移。集中使空间电荷区加宽，漂移使空问电荷区变窄。两种运动同时进展着，当集中流强度等于漂移流强度