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第一章、半导体中的电子状态习题
、什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。
、试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的缘由。
、试指出空穴的主要特征。
、简述Ge、Si和GaAS的能带构造的主要特征。
、某一维晶体的电子能带为
E(k)?E
其中E0=3eV，晶格常数a=5х10-11m。求：
能带宽度；
能带底和能带顶的有效质量。
题解：
?1?0.1cos(ka)?0.3sin(ka)?
0
、解：在肯定温度下，价带电子获得足够的能量〔≥E〕被激发到导带成为导电电子的过程就是本
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征激发。其结果是在半导体中消灭
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