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电力场效应晶体管P-MOSFET
目录
CONTENTS01P-MOSFET工作原理
带寄生二极管的
02
P-MOSFET
03P-MOSFET特性曲线
04小结
PART
ONE
P-MOSFET工作原理
PrincipleofP-MOSFET
P-MOSFET简介
Power-MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor
电力金属氧化物半导体场效应晶体管
P-MOSFETMOS管
增强型MOSFET结构
V
DS
V
G
增强型MOSFET的特点
压控型器件，驱动损耗小。
导电沟道可等效为导通电阻Rds-on，电流可双向流通。
靠多子导电，不存在少子存储效应，开关速度快。
PART
TWO
带寄生二极管的P-MOSFET
P-MOSFETwithparasiticdiode
MOSFET结构改良
MOSFET结构改良
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V
G
MOSFET反并联二极管
PART
THREE
P-MOSFET特性曲线
CharacteristiccurveofP-MOSFET
转移特性
转移特性：漏极电流i与栅源电压v之间的关系。
DGS
i
D
v
GS
V
GS_th：栅极开启电压
iDvGS：反映栅极电压对漏极电流的控制能力
输出特性
输出特性：漏极电流i、栅源电压v和漏源电压v之间的关系。
DGSDS
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