半导体器件 第16-1部分 微波集成电路 放大器 征求意见稿.docx

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GB/T20870.1-202×/IEC60747-16-1:2017

半导体器件第16-1部分：微波集成电路放大器

1范围

本文件规定了微波集成电路放大器的术语和定义、基本额定值、特性以及测试方法。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

IEC60050-702国际电工词汇第702部分：振荡，信号和相关装置（InternationalElectrotechnicalVocabulary(IEV)-Part702:Oscillations,signalsandrelateddevices）

注：GB/T14733.7-2008电信术语振荡、信号和相关器件(IEC60050（702）:1992，IDT)IEC60617电气简图用图形符号（Graphicalsymbolsfordiagrams）

注：GB/T4728（所有部分）电气简图用图形符号（IEC60617：2018，IDT）

IEC60747-1:2006半导体器件第1部分：总则（Semiconductordevices-Part1:General）

注：GB/T17573-XXXX半导体器件第1部分：总则（IEC60747-1：2006+AMD1:2010，IDT）

IEC60747-4:2007半导体器件分立器件第4部分：微波二级管和晶体管（Semiconductordevices-Discretedevices-Part4:Microwavediodesandtransistors）

注：GB/T20516-XXXX半导体器件分立器件第4部分：微波二级管和晶体管(IEC60747-4:2007+AMD1:2017，MOD)IEC60748-2:1997半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路（Semiconductordevices—

Integratedcircuits—Part2：Digitalintegratedcircuits）

IEC60748-3:1986半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路（Semiconductordevices—Integratedcircuits—Part3：Analogueintegratedcircuits）

注：GB/T17940-2000半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路(IEC60748-3:1986，IDT)

IEC60748-4:1997半导体器件集成电路第4部分：接口集成电路（Semiconductordevices—Integratedcircuits—Part4：Interfaceintegratedcircuits）

IEC/TS61340-5-1静电-第5-1节：保护电子设备不受静电现象干扰-通用要求（Electrostatics—Part5-1：Protectionofelectronicdevicesfromelectrostaticphenomena-Generalrequirements）

注：GB/T37977.51-2019静电学第5-1部分：电子器件的静电防护通用要求(IEC61340-5-1:2016，IDT)

IEC/TS61340-5-2静电-第5-2节：保护电子设备不受静电现象干扰-用户指南（Electrostatics—Part5-2：Protectionofelectronicdevicesfromelectrostaticphenomena-Userguide）

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。3.1

线性（功率）增益linear(power)gain

Glin

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GB/T20870.1-202×/IEC60747-16-1:2017

功率传输曲线Po(dBm)=f(Pi)中线性工作区的功率增益。注：在这个区域，ΔP(dBm)=ΔP(dBm)。

3.2

线性（功率）增益平坦度linear(power)gainflatness

ΔGlin

工作在功率传输特性曲线上线性工作区的功率增益平坦度。3.3

功率增益powergain

GP,G

输出功率与输入功率之比。

注：功率增益通常用分贝表示。3.4

（功率）