传感器期末复习题2 .pdf

一、填空题（每题3分）

1、传感器通常由直接响应于被测量的敏感元件、产生可用信号输

出的转换元件、以及相应的信号调节转换电路组成。

3、半导体材料的压阻效应是指应力作用下半导体电阻率的变化，这种现象称

为压阻效应。

4、金属丝应变片和半导体应变片比较其相同点是受到压力时应变，从而导致

材料的电阻发生变化。

5、金属丝应变片和半导体应变片比较其不同点是灵敏度金属材料的应

变效应以机械形变为主，材料的电阻率相对变化为辅；而半导体材料则正好相反，

其应变效应以机械形变导致的电阻率的相对变化为主，而机械形变为辅。

7、固体受到作用力后电阻率要发生变化，这种现象称压阻效应。

8、应变式传感器是利用电阻应变片将应变/变形转换为电阻变化的传感

器。

9、应变式传感器是利用电阻应变片将应变转换为电阻变化的传感器。

14、要把微小应变引起的微小电阻变化精确地测量出来，需采用特别设计的

测量电路，通常采用电桥电路。

16、变极距型电容传感器做成差动结构后，灵敏度提高原来的2倍。

22、电涡流传感器可用于位移测量、振幅测量、转速测量和无损探伤。

26、电涡流传感器从测量原理来分，可以分为高频扫射式和低频透射两

大类。

28、压电式传感器可等效为一个电荷源和一个电容并联，也可等效为一

个与电容相串联的电压源。

33、热电动势来源于两个方面，一部分由两种导体的接触电势构成，另

一部分是单一导体的温差电势。

34补偿导线法常用作热电偶的冷端温度补偿它的理论依据是中间导体

律。

35、常用的热电式传感元件有热电偶和热敏电阻。

36、热电偶是将温度变化转换为电动势变化的测温元件，热电阻和热敏

电阻是将温度转换为电动势变化的测温元件。

38、热电阻最常用的材料是铂和铜，工业上被广泛用来测量中低温区的

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温度，在测量温度要求不高且温度较低的场合，铜热电阻得到了广泛应用。

40、霍尔效应是指垂直于电流方向加上磁场，由于载流子受到洛伦磁力

的作用，则在平行于电流和磁场的两端的现象。

41、制作霍尔元件应采用的材料是N型半导体，因为半导体材料

能使截流子的迁移率与电阻率的乘积最大，而使两个端面出现电势差最大。

43、按照工作原理的不同，可将光电式传感器分为光电效应传感器、红

外热释电传感器、固体图像传感器和光纤传感器。

45、光电传感器的理论基础是光电效应。

46、用石英晶体制作的压电式传感器中，晶面上产生的电荷与作用在

晶面上的压强成正比，而与晶片几何尺寸和面积无关。

48．电阻应变片是将被测试件上的应变转换成电阻的传感元件。

52、物质的光电效应通常分为外光电效应、内光电效

应和光生伏特效应三类。

53、压电式传感器的工作原理是以晶体的压电效应为理论依据。

56、霍尔电势与半导体薄片的厚度成反比。

59、红外测温仪是利用热辐射体在红外波段波段的辐射