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一．名词解释：
①．CZ直拉法：是用包括熔炉，拉晶机械装置〔籽晶夹具，旋转机械装置〕，环境掌握装置的拉晶机进展结晶。多晶硅放入坩埚中，熔炉加热到超过硅的熔点，将一个适当晶向的籽晶放置在籽晶夹具中，悬于坩埚之上，将籽晶夹具插入熔融液中，虽然籽晶将会局部溶化，但其未溶化的籽晶顶部将会接触熔融液的外表、将籽晶渐渐拉起，熔融液在固体液体的外表渐渐冷却，从而产生很大的晶体即从熔融硅中生长单晶硅的根本技术称为直拉法。
②．硅的区熔〔float-zone〕法：在单晶生长过程中持续不断的向熔融液中添加高纯度的多晶硅，
使得熔融液初始的掺杂浓度维持不变的根本技术称为硅的区熔〔float-zone〕法。
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