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半导体工艺笔记
全书主要内容：硅和硅片的制备、外延、热氧化、集中、离子注入、化学气相沉积、物理气相沉积、光刻、刻蚀、封装。
一、绪论
芯片制造工艺：由“硅片”到“集成电路构造晶圆”之间的工艺步骤。
硅平面工艺：主要有氧化，光刻，集中掺杂，蒸镀金属四个根本单项工艺构成。
晶体管芯片工艺流程:外延、氧化、光刻、掺杂〔集中或离子注入〕、金属化〔CVD、PVD〕
5个单项工艺依据肯定挨次排列构成的。
微电子工艺的特点〔超净环境：不同的单项工艺要求的干净室等级不同，光刻工艺要求的最高；超纯材料：半导体材料〔硅、锗〕、其他功能性电子材料〔Al、Au等金属化材料、掺杂气体、外延用气体高纯度材料〕
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