半导体物理与器件实验指导书.docx

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2024-07-03 发布于天津
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试验指导书

院系：机电工程学院专业：微电子

课程：半导体物理与器件编者：孙玮

试验一四探针法测量半导体电阻率和方块电阻 1

试验二半导体非平衡少子寿命测试 10

试验一四探针法测量半导体电阻率

一、试验目的：

硅单晶的电阻率与半导体器件的性能有着格外亲热的关系，半导体电阻率的测量是半导体材料常规参数测量工程之一。测量电阻率的方法很多，如三探针法、电容—电压法、扩展电阻法等。四探针法则是一种广泛承受的标准方法，在半导体工艺中最为常用，其主要优点在于设备简洁，操作便利，准确度高，对样品的几何尺寸无严格要求。四探针法除了用来测量半导体材料的电阻率以外，在半导体器件生