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半导体硅的清洗总结〔标出重点了〕
硅片的化学清洗总结
硅片清洗的一般原则是首先去除外表的有机沾污；然后溶解氧化
层(由于氧化层是“沾污陷阱”，也会引入外延缺陷)；最终再去除颗粒、金属沾污，同时使外表钝化。
清洗硅片的清洗溶液必需具备以下两种功能:(1)去除硅片外表的污染物。溶液应具有高氧化力量，可将金属氧化后溶解于清洗液中，同时可将有机物氧化为CO2和H2O；(2)防止被除去的污染物再向硅片外表吸附。这就要求硅片外表和颗粒之间的Z电势具有一样的极性，使二者存在相斥的作用。在碱性溶液中，硅片外表和多数的微粒子是以负的Z电势存在，有利于去除颗粒；在酸性溶液中，硅片外表以负的Z
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