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随着晶体管尺寸的不断缩小，HKMG〔high-k绝缘层+金属栅极〕技术几乎已经成为45nm以下级别制程的必备技术.不过在制作HKMG构造晶体管的工艺方面，业内却存在两大各自固执己见的不同阵营，分别是以IBM为代表的Gatefirst工艺流派和以Intel为代表的Gatelast工艺流派，尽管两大阵营均自称只有自己的工艺才是最适合制作HKMG晶体管的技术，但一般来说使用Gate-first工艺实现HKMG构造的难点在于如何掌握PMOS管的Vt电压〔门限电压〕；而Gate-last工艺的难点则在于工艺较简单，芯片的管芯密度同等条件下要比Gate-fi
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