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半导体器件基础.docx

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    7.1

    7.1

    半导体器件根底

    GS0101由理论分析可知，二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示：

    u

    TD

    T

    i ?I

    D

    R(sat)

    (eV

    ?1)

    式中，i为流过二极管的电流，u。为加在二极管两端的电压，V称为温度的电压当量，与热力学温度成

    D D T

    正比，表示为V =kT/q其中T为热力学温度，单位是K；q是电子的电荷量，q=1.602×10-19C；k为玻耳兹曼

    T

    常数，k=1.381×10-23J／K。室温下，可求得V

    T

    GS0102直流等效电阻R

    D

    =26mV。I

    R(sat)

    是二极管的反向饱和电

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